倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究.pdfVIP

　第 20 卷第 10 期 半　导　体　学　报 . 20, . 10 V o l N o 　1999 年 10 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究 卢基存　宗祥福 ( 复旦大学材料科学系　上海　200433) 吴建华　林添明 (新加坡微电子研究所　新加坡　117685) 摘要　倒装芯片(flip ch ip ) 是当前电子封装领域中的研究热点之一. 本文利用新型的红外显微 镜, 在不破坏焊点的情况下, 首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀 模式, 并用一种有损失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果. 实验发现, 该倒装芯片在含 有与不含有下部填充料的情况下具有完全不同的铝腐蚀模式和腐蚀机理. : 0170 , 0170 , 0170 , 7230 EEACC J L N G 1　引言 塑料封装集成电路中的铝金属腐蚀是影响其可靠性的重要因素. 由于塑料远低于陶瓷 的防水性能, 以及集成电路制造中使用的腐蚀性化学物质在芯片上的残留等因素, 芯片上的 铝条易在化学和电化学作用下被腐蚀. 对于传统的电子封装如双列封装(D IP ) , 四边引线扁 ( ) [ 1～ 3 ] 平封装 Q FP 等的铝腐蚀问题, 人们已有较深入的研究 . 而对于倒装芯片中的铝腐蚀, 文献中的报道则相对较少. 倒装芯片封装就是将芯片的具有器件的正面通过合金焊料球或 ( ) 其它导电材料 如导电高分子 与印制线路板相连接. 为提高倒装芯片的抗热应力可靠性, 通 [ 4 ] 常在芯片与印制线路板的间隙中填入下部填充料 . 由此可见, 倒装芯片在铝焊接区的设 计, 封装结构, 制造工艺, 使用的材料等方面都与传统塑封器件不同, 因此其中的铝腐蚀模式 与机理也将不同. 为了研究倒装芯片的铝腐蚀机理, 首先需要准确地表征其中的铝腐蚀模式. 然而, 传统 ( ) 的用化学溶剂 如发烟硝酸 腐蚀塑料外壳和钝化层以观测铝布线的方法不完全适用于倒装 ( ) 芯片的铝腐蚀分析. 原因是芯片与印制线路板之间的间隙很小 一般为 50～ 150m , 化学 溶剂很难完全腐蚀掉这微小间隙中的下部填充料. 为了观测到铝腐蚀, 寻求新的失效分析方 法, 特别是不破坏铝布线的检测方法是很有必要的. 由于铝原子的质量很小, 作为芯片上布 　　卢基存　男, 1970 年生, 博士生, 主要从事电子封装器件的可靠性测试和失效分析工作 宗祥福　男, 博士生导师, 主要研究领域包括电子器件的工艺与微分析技术, 高密度电子封装, 新型电子材料及 器件等 收到,定稿 10 期 卢基存等: 　倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究