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分子动力学方法的模拟参数对结果的影响 ／秦尤敏等 ·257 · 分子动力学方法的模拟参数对结果的影响 秦尤敏 ，吕晓丹 ，宁建平 ，张利纯 ，赵成利 ，贺平逆 ，BogaertsAa，苟富君 1 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所 ，贵阳 550025；2 四川大学核科学与技术工程学院，成都 610064； 3 比利时安特卫普大学化学系 PLASMANT课题组 ，比利时 B-2610；4 荷兰皇家科学院等离子体所 ，荷兰 2300 摘要 主要研究了利用分子动力学方法 MD 模拟等离子体与材料表面相互作用过程时分子动力学方法的参 数对模拟结果的影响。详细分析了Berendsen热浴的应用时间、耦合强度和模拟时间量 单个轨迹的作用时间、弛豫 时间 对模拟结果的影响，结果表明，热浴的应用时间对模拟结果的影响很大，而其它参数对模拟结果没有太大的影 响 。 关键词 分子动力学 热浴 弛豫 刻蚀 中图分类号 ：TN3041．+2 文献标识码 ：A ParametersofMolecularDynamicsAffectSimulationResults QIN Youmin，LU Xiaodan ，NING Jianping，ZHANG Lichun ，ZHAO Chengli， HEPingni，BogaertsAa，GoU Fujun，，。， 1 InstituteofPlasmaSurfaceInteractions，GuizhouUniversity，Guizhou550025；2 SchoolofNuclearScience andEngineering，SichuanUniversity，Chengdu610064；3 ResearchGroupPLASM ANT，University ofAntwerp。Belgium B-2610；4 FOM InstituteforPlasmaPhysics，Netherlands2300 Abstract Thepurposeofthispaperistoinvestigatetheeffectsofparametersonmoleculardynamicsmethod． Theeffectsoftheapplicationtimeofheatbath，couplingstrengthandsimulationtime-scale integrationtime，relaxation time ontheetchingareshow~Thesimulationresultsshow thattheheat-bathapplicationtimehavethesignificantly effectontheetching．TheotherparametersrelevanttotheMD methodhavenoslightinfluenceontheetching． Keywords moleculardynamics，heatbath，relaxation，etching 近年来，分子动力学方法 MD 被广泛用于研究等离子体 1 模型和实验方法 与材料表面的相互作用。大量的模拟结果表明，这是一种有效 研究等离子体与材料表面相互作用 的手段[1]。Abrams等利 通过对粒子间相互作用势能求偏导数可获得作用在粒子 用MD研究CFx’十 X一1～3 刻蚀 Si_2]，模拟结果表明C 刻 上的力 ]，然后通过求解牛顿运动方程给出粒子运动的速度和 蚀 si过程中，在 si表面形成了一层Si／C／F混合层 ，此混合层的 运动轨迹。本研究将利用 Tersoff_Brenner势函数来描述 Si—c_ 厚度随入射离子能量的增加而增大。Schoolcraft等使用 Still— F系统的势能。 inger-Weber SW 势函数对入射能量为 3eV 的F原子刻蚀 Si 在第一性原理计算和实验数据的基础上，Graves等改进了 进行了研究 ]，也发现了近稳态刻蚀的混合层 ，此混合层的主 Fersoff-Brenner势函数以使其适用于 Si-C-F系统_1。系统势 要成分是 SiFx X一1～3 。本课题组利用 MD研究了SiFx。。 能 表示为： X一1～3 刻蚀 Si表 面l7]，同时也模拟 了 F+刻蚀 SiC表 E —VR ro --b，·VA rq 1 面[1O,l1]，结果表明Si的刻蚀率远大于C的刻蚀率，并在 SiC表 式中： 为 i、原子间的距离；bo表示键合强度，是体现多体效 面形成富碳反应层。 应的重要因子； 为原子核与原子核间的排斥能； 为 由价 电 本研究将利用 MD模拟c 与Si表面相互作用的过程， 子引起的吸引能