掺氮碳化硅晶体的近红外光谱研究.pdfVIP

· 378 · 材料导报 2009年 11月第23卷专辑 14 掺氮碳化硅晶体的近红外光谱研究 张 燕 ，连 洁 ，宋 平 ，高 尚 ，马跃进 ，李 娟 (1 山东大学信息科学与工程学院，济南 250100；2 山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100) 摘要 分别用红外光谱测量系统和双光束分光光度计研究了室温下碳化硅单晶的光学性质，测得碳化硅晶体 的透射率和反射率随波变化的关系。通过掺氮与非掺杂碳化硅各种光谱的比较，发现掺氮不仅使近红外透射率降 低，也导致反射率下降，掺氮碳化硅 晶体在可见光部分 出现了比较明显的吸收带。此外，利用透射谱还获得非掺杂 6H—SiC晶体的折射率 。 关键词 掺氮6H—SiC 近红外反射光谱 透射光谱 光学性质 StudyonNearInfraredSpectrum ofNitrogenDopedSiC Crystal ZHANGYan ，LIANJie，SONGPing，GAOShang，MAYuejin，LIJuan。 (1 SchoolofInformationScienceandEngineering，ShanodngUniversity，Jinan250100； 2 StateKeyLaboratoryofCrystalMaterial，ShandongUniversity，Jinan250100) Abstract Opticalpropertiesofsiliconcarbidesinglecrystalatroomtemperatureareinvestigatedbytheinfra— redmeasurementsystem andthedoublebeam spectrophotometerrespectively，and thetransmissionandreflectivityof SiCasafunctionofwavelengthareobtained．Throughthecomparisonofthespectrum ofN-dopedSiCwithSiC spec— trum，itisfoundthatnitrogendopingreducesthetransmissionandrefleetivityinthenearinfraredrange．Moreover， thereisanobviousabsorptionbandinthevisiblespectrum ofN-dopedSiC．Additionally，therefractiveindexof6H—SiC isalsoobtainedusingtransmissionspectrum． Keywords N—doped6H—SiC，nearinfraredreflectivityspectrum，transmissionspectrum，opticalproperty 长精度士0．3rma，波长重复性0．1nm，光沿晶体光轴入射。 0 引言 SiC是 目前引人瞩 目的宽禁带半导体材料之一，优异的物 理特性使其具备了可制成高温、高频、抗辐照、高压和高功率电 子器件的能力_】j。 一 对 SiC光 电器件而言，材料光学性质的表征是一个重要的 课题。随着晶体生长技术的提高，高质量的SiC单晶已出现，从 而使 SiC多型体光学性质的研究成为可能[5 。本实验采用 红外光谱系统测量了SiC单晶和掺氮 SiC晶体的红外透射及反 射光谱，通过TU-1901双光束光分光光度计测得 2种晶体的可 图 1 红外反射谱测量系统示意图 见透射光谱，并利用透射谱计算了非掺杂SiC晶体的折射率 ，其 n孚 1 Sketchofinfraredreflectancespectrum 结果与参考文献的结果较符合。此外