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金属有机化学气相沉积的研究进展 ／李 一等 ·153 · 金属有机化学气相沉积 的研究进展 李 一 。，李金普 ，柳学全。，贾成厂 (1 北京科技大学材料科学与T程学院，北京 100083；2 钢铁研究总院，北京 100081) 摘要 概述了金属有机化学气相沉积技术 (M()CVD)的一般原理，讨论 了适用于金属有机化学气相沉积的前 驱体化合物及反应器类型，介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应 用 关键词 金属有机化学气相沉积 半导体化台物 薄膜材料 RecentAdvancesinM etal-OrganicChem icalVaporDeposition LIYi ，LIJinpu ，LIU Xuequan ，JIA Chengchang (1 SchoolofMaterialsScienceandEngineering，USTB，Beijing100083；2 CentralIron＆ SteelResearch Institute，Beijing100081) Abstract Thegeneralrulesofmetal—organicchemicalvapordeposition(M ()CVD)areintroduced．Theprecur sorsandtypicalreactorsapplytoMOCVD arediscussed．TherecentprogressandapplicationsofM (X；VD in com poundsemiconductormaterialsandthinfilm materialsarereviewed． Keywords metalorganicchemicalvapordeposition，compoundsemiconductor，thinfilm material 金属有机化学气相沉积 (M()CVD，Metal—organicche— 种因素的影响，只有充分考虑各种 因素的综合作用，了解各 micalvapordeposition)是以低温下易挥发的金属有机化合 种参数对沉积物的组成、性能、结构的影 响，才能在基体表面 物为前驱体 ，在预加热的衬底表面发生分解 、氧化或还原反 沉积出理想的材料 。 应而制成制品或薄膜的技术。与传统的化学气相沉积方法 相 比，金属有机化学气相沉积 (M()CVD)的沉积温度相对较 低 ，能沉积超薄层甚至原子层 的特殊结构表面，可在不 同的 基底表面沉积不 同的薄膜l1一，现已在半导体器件 、金属、金属 氧化物 、金属氮化物等薄膜材料的制备与研究方面得到广泛 的应用。该技术 由美 国洛克威尔公司的Mansevit等 于 2o 世纪 6O年代发展起来，是制备半导体功能材料和薄膜材料 的有效方法之一。本文将从金属有机化学气相沉积的原理、 金属有机化合物前驱体的选择 、反应器的类型和金属有机化 学气相沉积技术 的应用等方面介绍金属有机化学气相沉积 图 1 MOCVD原理 图 技术的研究进展。 Fig．1 A schematicdiagram ofMOCVD 1 金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的原理 2 金属有机化合物前驱体 金属有机化学气相沉积反应源物质(金属有机化合物前 常见的化学气相沉积前驱体主要有金属氢化物、金属 卤 驱体)在一定温度下转变为气态并随载气 (H。、At)进入化学 化物和金属有机化合物 。与金属氢化物和金属 肉化物相 比， 气相沉积反应器，进入反应器的一种或多种源物质通过气相 金属有机化合物具有更低的沉积温度、更低的毒性和对反应 边界层扩散到基体表面 ，在基体表面吸附并发生一步或多步 系统的腐蚀性，并且