人工晶体新进展.pdfVIP

高层论坛 A ut hority Forum 人 工 晶 体 新 进 展 蒋 民 华 （山东大学 晶体材料国家重点实验室 ，山东 济南 2 50 100 ） 我 国的晶体 生长和 晶体材料研 究 自改革 （IFE），从而获得 巨大 的 “清洁 的能 源 ” 。 开放 以来发展很快 ，20世 纪80年代是我 国人工 这是一项体 现综合 国力 的重要工作 。大尺 寸 晶体发展 的黄 金 时代 ，在 国际 上也有一席之 KD P 晶体是 其 中大功 率激光器 的 关键部件 倍 地。进入2 1世纪 以来，飞速发展的科学技术特 频器 唯一可 用 的关键材料 ，对其质量要求 很 别是信息技术 、生物技术、新能源技术和纳米 高 。光损伤 阈值 、材料 的 吸收系数和光学 均 科技对社会和经济发展起着 日益重要 的作用， 匀性必须 同 时达 到高功率 激光技术 的要求 。 也驱动着新材料的发展 。人工晶体作为高科技 我 国为打破 西方 的禁运 ，独 立 自主地发展 了 领域和国防科技不可缺少的关键材料 ，越来越 有特 色的四槽流动法生长KD P大 晶体 的技术 ， 受到各国政府和科学家的重视。 通过大量 的基础研 究和工艺改进 ，克服了大尺 一 、体块单 晶生长 的重要进展 寸和高质量在生长和加工上带来 的困难，制备 体 块单 晶是 人工 晶体 的基石 ，科技发展 出大单 晶，满足 “神光工程”的需求。 对单 晶提 出了越来越 高 的要求 ，单 晶生长 向 Si C单 晶是 宽 禁 带 高温 半 导 体 ， 也 是第 着大尺寸 、高 完整性方 向发展 ，生长高质量 三代半导体 的关键材料 ，在 微 电子和光 电子 大单 晶的难度 越来越大 ，它是 晶体生长 的高 领 域应 用都 很 广泛 。Si C单 晶主 要 采用 物理 技术 。硅单 晶 的发展是一个 突 出的例子 。随 气 相 输 运 法 生 长 ， 多 晶 Si C需 在 2200～ 着集成电路 （IC）集成度的提高，硅单 晶尺寸 2400 ℃ 下 经 温 度 梯 度 的驱动 ，升 华 结 晶 到 已发展到12英寸 以上 ，为了提高IC产 品的成品 SiC籽 晶上 。 由于 控制 晶体沿 理想 界面 的等 率 ，对大尺寸硅 晶圆片 的质量 ，特别是对于 温线生长非 常重要 ，因此对 温度分布 的设计 用于制备IC的洁净 区要求很 高 。难 能 可贵 的 和模拟必须 十分精细 ，对控 温精度要求也很 是，对经过50年研 究并 已成为大规模产业 并稳 高 ，这给生 长大尺寸均一单 晶带来相 当大 的 定应用 的硅单 晶 ，我 国首先系 统研 究 了掺氮 难度 。微 管 缺 陷和小角 晶界 的控制 ，是生长 直拉硅单 晶中氮 杂质及相关缺 陷 ，发现掺氮 高质 量 Si C单 晶 的关 键 。 目前 ， 只 有少 数 国 可 以抑制硅单 晶 中主要 的微缺 陷 ，增强吸杂 家 能 生产2 ～4英 寸 的单 晶。我 国 目前 已有 能 能力和机械 强度 ，有利于制备洁 净 区和提高 力生 长 和加 工2～3英 寸 的Si C单 晶 ，SiC 晶圆 IC的成 品率 ，这 一 成 果 得 到 国 际 同行 的认 衬底 已达 到 “开 盒 即用 ”的水平 。 可 ，促进 了掺氮 硅单 晶在 国际产 业 界 的广泛