光学薄膜损伤的单光子吸收电离的电子雪崩模型.pdfVIP

维普资讯 第 27卷第 2期 光 电工程 Vo1．27， No．2 2000年 4月 0ptoElectroflicEngineering April，2000 文章编号 ：1003--501(2000)02一o052—04 光学薄膜损伤 的单光子吸收 电离的电子雪崩模型 级 ， ， 舢 付 【1．中国航天工业总公司 7306研究所 ，四川 成都 610100； 2．四川大学光 电科学技术系 ，四川 成都 610064； 3．成都精密光学工程研究中心，四川 成都 610008) 摘要：分析 了实际光学薄膜与其块状材料在微观结构厦宏观尺寸上的差异，指 出了单光子吸收电 离与雪崩倍增可分为两个相对独立的先后过程处理，提 出了实际光学薄膜激光请导扩 的单光 关键词：兰兰莲堕，激光损伤，激光请导，兰塑皇苎，耋乏墨些。 中图分类号 ：0484．4 文献标识码 ：A An Electron AvalancheM odelofDielectrieFilm Resulted from Single—Photon Absorption Ionization LIDan ，ZHU Zi-qiang!一QIU Fa—min ，FU Xiong—ying。 (1．No．7306Institute，CASC，Chengda610100，China；2．Departmentof O#to—Electronics，SichuanUniversity，Chengdu 610064，China；3．Chengdu FineOpticalEngineering ResearchCenter，Chengdu 610003，China) Abstract：Thedifferencesbetween themierostructureand macro—scales0fapracticaloptical thin film and itsblock materialareanalyzed in thepaper．ThepaperpointsOutthatsingle photonabsorption ionizationandavalanchenm hiplicationcanbedividedin,otworelativelyin dependentearlyandlateprocessingprocesses．Anavalanchemodeloflaser—induceddamageofa practicalopticalthinfilm resultedfrom single—photonabsorptionionizationisproposed．There— lationshipbetweenthe initialelectronsdensityandtheincidentlaserwavelength，andtherela— tionshipbetweenthelaserinduceddamagethresholdforthepracticalopticalthinfilm andits initialelectronsdensityafediscussed．Anexperim entalmethodfordeterminingtheinitialelec tronsdensityisproposed in thepaper． Keywords：Opticalthin films，Laserdamage，La