硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀.pdfVIP

维普资讯 第 31卷第 2期 光 电工程 Vo1．31，No．2 2004年 2月 Opto—ElectronicEngineering Feb，2004 文章编号：1003—501X(2004)02—0001—03 硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀 张 磊 一，张晓玉 ，张福 甲2 姚汉民 杜春雷 ，刘 强 ，潘 莉 (1．中国科学院光电技术研究所微细加 【光学技术国家重点实验室，四川I 成都 610209： 2．兰州大学物理科学与技术学院，甘肃 兰州 730000) 摘要 ：用光刻和反应离子刻蚀 的方法对硅材料光子晶体板的制作进行 了研究。实验发现 ，与激光 直写曝光相比，光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度。扫描电子显微镜测试表明，反应离子刻蚀 后得到深 3．3 m，品格周期 10．95 m，占空比 50％的孔状光子晶体板结构，孔的陡直度保持较 好，基本满足设计要求。 关键词：光子晶体；光刻；离子蚀刻；激光直写；扫描 电子显微镜 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：A LithographyandReactiveIonEtchingof Silicon．BasedPhotonCrystalSlab ZHANGLei，一，ZHANGXiao．yu，ZHANGFu-jia，YAOHan．min DUChun-iei，LIUQiang，PANLi (1．StateKeyLaboratoryofOpticalTechnologiesforMicrofabrication，InstituteofOptics andElectronics，ChineseAcademyofSciences，Chengdu610209，China； 2．SchoolofPhysicsScienceandTechnology，LanzhouUniversity，Lanzhou730000，China) Abstract：Studyon fabricationofsilicon—basedphotoncrystalslab withlithographyand reactiveion etchingiscarriedout．Itisfoundthatcomparedwithlaserdirectwritingexposurelithographicexposure ismorebenefitforthesteepnessofpaRern on photoresist．Thetesting with SEM showsthatafter reactiveionetchingahole—shapedphotoncrystalslabwithdepthof3．3gm．1atticecycleof10．95gm and dutyratioof50％ isobtained．Thesteepnessoftheholeismaintainedwellanditbasicallyfulfilsthe designdemands． Key words： Photon crystals；Lithography；Ion etching；Laserdirectwriting；Scanning elecrton micro—scopes 引 言 光子晶体板是平板波导与二维光子晶体的复合结构，它借助于二维光子晶体平面内的光限制和平板 波导平面垂直方向的光约束，从而在一定程度上实现二维光子晶体的性质。光子晶体概念提出至今，为了 实现完全的光控制，人们尝试用多种方法得到三维光子品体，但其设计利加工的复杂性一直制约着三维光 子晶体的进展。而光子晶体板结构制作要简单得多，常规的干法刻蚀方法就能实现