高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度.pdfVIP

第37卷第 1期 光 电工程 vo1．37．No．1 2010年 1月 Opto—ElectronicEngineering Jan．2010 文章编号：1003—501X(2010)01—0106—04 __ _ __ -一 C= 同 功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度 孙 梅 ，苏 周b，王景芹 ，赵红东b (河北工业大学 a．研究生学院；b．信息工程学院，天津 300401) 摘要：微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径，本文利用有限元方法研究半导体激光器的温 度，给出了横向尺寸为200gmx60gtm单个及间距 100um的3，5，9的微通道热沉中的温度，得到微通道数量影 响激光器最高温度变化。结果表明，单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36A稳态工作的激光器阵列冷却到 342K，9个微通道可以冷却到 306K。仿真了增加微通道间距的温度分布，发现为间距 260gm 的5个微通道热沉， 可以将激光器冷却到 308K。 关键词：高功率激光器阵列；微通道；温度；有限元法；激光器 中图分类号：0472．2 文献标志码：A doi：10．3969／j．issn．1003—501X．2010．01．19 Temoe~atureinM icro．channelHeatSinkof HighPowerSemiconductorLaserArray SUN M ei，SU Zhou ， NG Jing-qin ，ZHAOHong-dong (a．CollegeofGraduateStudent；b．SchoolofinformationEngineering， HebeiUniversityofTechnology，Eanjin300401，China) Abstract：The micro—channelheatsink isan effectiveway to solve the heatremovalproblem in high power semiconductorlaserarray．Thetemperatureinahighpowersemiconductorlaserisanalyzedbythefiniteelementmethod． Thetemperatureisobtainedinasingleand3，5，9micro—channelsheatsinkswiththespaceof100pm andtransversesize 200gmx60gm．Theeffectofnumberofmicro—channelsonmaximum temperautreispresented．Theresultshowsthatthe temperautreinthesemiconductorlasersin36Ainjectedcurrentstableoperationcanbecooleddownto306Kbytheheat sinkmadeupof9micro—chann els，whilethetemperatureisdroppedto342K forasinglemicro—channe1．Thetemperautre distributionisalsosimulatedwithincreasingthespacebetweenmicro—channels．Itisfoundthatthetemperautrecanbe droppedto308K by5m icro—channelswiththespaceof260gm． Keyw