电子束曝光机的偏转系统.pdfVIP

维普资讯 第31卷第12期 光 电工程 Vo1．3l，No．12 2004年 12月 to—Electronic En~ineerin Dec，2004 文章编号：1003—501X(2004)12—0012—05 电子束曝光机的偏转系统 刘珠明，顾文琪 (中国科学院电工研究所，北京 100080) 摘要：电子束曝光机的偏转系统控制电子束偏转扫描。像差低、偏转灵敏度高、扫描速度快是它 的基本要求。对各种偏转器、偏转方式进行分析、比较，从偏转器空间场的数值计算方法、偏转 系统的优化、像差校正、偏转器制作工艺、电气参数等方面阐述设计过程和工程实现上一些值得 注意的问题。综合考虑偏转器和偏放电路的设计可以得到最优性能的系统。 关键词：偏转器；优化设计：动态校正；电子束曝光机 中图分类号：TN305 文献标识码：A Deflectionsystem forelectronbeam lithography LIU Zhu-ming，GUWen-qi (InstituteofElectricalEngineeringtheChineseAcademyofSciences，Beijing100080，China) Abstract：Thedeflection system ofan electronbeam lithographytoolisusedtocontroldeflection scanning ofelectron beam．The basic demandsofthe system should be oflow aberration，high deflection sensitivity and fastscanning speed．Analysisand comparison forvariousdeflectorsand deflectionmodesarecarriedout．Thedesignprocessandsomeproblemsthatmustbepaidattentionin engineeringstagearedescribedfrom numericalcalculationofdeflectorspatialfield，optimizationofthe deflectionsystem，aberrationcorrection，manufacturingprocessofdeflectorandelectricalpraameters， etc．A system withoptimalperformancecanbeobtainedthroughcomprehensivelytakingaccountofthe designofdeflectoranddeflection—amplificationcircuit． Keywords~Deflectors； Optimum design；Dynamiccorrection；Electronbeam lithography 引 口 电子束曝光是 20世纪 60年代从扫描电子显微镜技术发展起来的一种光刻技术 ，自70年代以后，该 技术在半导体集成电路制造业得到了广泛的应用和发展 。电子束曝光技术可以制作高分辨率掩模版，其制 作的掩模版用于其他光刻技术如 ：常规光学曝光 、x射线曝光等，此外，还可以直接在晶片上刻写，在微 电子、MEMS和生物技术等领域里制作微 、纳米器件 。偏转系统控制电子束作偏转扫描，是电子束曝光机 的核心部分，它的性能直接影响到曝光图形分辨率、扫描场尺寸及生产率 。 1 偏转器类型 电子束曝光机的偏转系统使电子束在前进的过程中产生二维横向位移 方向和 Y方向)，根据场激励