电子束散射角限制投影光刻掩模研制.pdfVIP

维普资讯 第31卷 第 4期 光电工程 Vo1．31，No．4 2004年 4月 Opto-ElectronicEngineering Apr,2004 文章编号：1003—501X (2004)04—0013—40 电子束散射角限制投影光刻掩模研制 杨清华，陈大鹏，叶甜春，刘 明，陈宝钦，李 兵，董立军 (中国科学院微电子研究所，北京 100029) 摘要：掩模制作是电子束散射角限制投影光刻 (SCALPEL)的关键技术。通过优化工艺，制作出 具有 “纳米硅镶嵌结构”的低应力SiN薄膜作为支撑；开发了电子束直写胶图形的加法L艺，在 支撑薄膜上得到清晰的钨 ／铬散射体 图形。研制出的SCALPEL掩模，其晶片尺寸为80mm，图形 线宽达3,1o．1m，经缩小投影曝光得~]178nm的图形分辨力。 关键词：电子束光刻；掩模；投影光刻 中图分类号：TN305．7 文献标识码：A Developmentofmaskforscatteringwithangular limitationprojectionelectron—beamlithography YANGQing-hua，CHENDa-peng，YETian-chun，LIUMing， CHENBao-qin，LIBing，DONGLi~un (InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China) Abstract：Maskfabrication isakeytechniqueofscatteringwithangularlimitationprojection electron-beam lithography (SCALPEL)．Assupporting，low stressSiNrmembranewithnanometer siliconembeddedstructureisfabricatedthroughoptimizingtechnologies．Anadditivetechnologywith electronbeam directwritingphotoresistpatternsisdevelopedandclearW ／Crscatteringpatternsonthe supportingmembraneareobtained．TheSCALPELmask isdeveloped．Itssizeis80mm andlinewidht Cnabe0．1-micron．78nmpatternresolutioncanbeobtainedthroughreducingprojectionandexposure． Keywords：Electron-beamlithography：Masks；Projectionlithography 引 言 电子柬直写光刻是上世纪6O年代从扫描电子显微镜技术基础上发展起来的一种新的光刻技术…。到了 7O年代，该技术在半导体集成电路制造业中已得到广泛的应用 。由于电子束的产生、聚焦 、偏转等技术比 较成熟，控制也相对简单方便，并且无需考虑衍射效应 (加速电压在15-20kV 时，电子射线的波长约为1 - 0．7nm)，所以电子束曝光技术一经问世就马上引起了半导体制造业的高度重视并得到了迅速发展。 电子束直写曝光具有极高分辨力，但生产率极低。为了提高生产率，自1975年以来，人们先后研制出 了可变矩形束(VSB)、可变形束(c 即CharacterProjection)和单元投影(CellP) 曝光机 。但由于拼合图形 小，并且掩模热效应严重 j，所 以生产率远远不能满足实际集成电路芯片生产的需要 。 为提高电子束的光刻效率，人们又提出了电子束