磁控溅射薄膜生长的计算机模拟的研究.pdfVIP

摘要 磁控溅射自20世纪70年代诞生以来，因较高的沉积率和成膜质量而成为薄膜 制备的重要手段之一，被广泛应用于集成电路制造、特殊功能材料涂层及材料改性 等诸多领域。由于当前溅射成膜工艺的控制在很大程度上仍然依赖于实验经验，因 此，模拟研究磁控溅射生长过程，对辅助溅射成膜工艺的实际操作有着重要的意义。 随着计算机技术的迅猛发展，计算物理方法与传统的理论研究和实验研究的结 合日趋紧密。许多国内外研究者成功运用计算机模拟方法探讨薄膜的生长机理，并 提出多种模拟手段来重现与薄膜生长相关的物理过程。然而，磁控溅射中各部分物 理过程在空间和时间尺度上跨度较大，这样多尺度问题的计算机模拟并不容易，因 此对磁控溅射薄膜沉积全过程模拟的研究报道并不多见。 本论文建立了一个多尺度模型，对磁控溅射薄膜生长的全过程进行了计算机模 拟。先后利用蒙特卡洛法(MC)、分子动力学方法(MD)、元胞粒子法(PIC)、 嵌入原子法(EAM)和带电云法(CIC)模拟了溅射原子的产生、传输和沉积过程。 本论文研究了基板温度、溅射速率、磁场分布、磁场强度、阴极靶负偏压、真空室 内压强以及靶材．基板间距对成膜的影响。 模拟结果显示，阴极靶负偏压对系统到达准稳态的时间以及离子与电子的能量 有明显的影响。