基于红外测温法的MOCVD工艺温度分析.pdfVIP

计《量与铡试技术》2o12年第39誊第4期 基于红外测温法的MOCVD工艺温度分析 AnalysisofMOCVDProcessTemperatureBasedonInfraredMeasurement 关国坚 甘志银 (华中科技大学机械科学与工程学院，湖北 武汉430074； 广东昭信半导体装备制造有限公司，广东 佛山528200) 摘 要：为了得到MOCVD工艺生长过程中石墨盘的温度分布，提出了基于红外测温法的非接触无损测量方法，使用自主研发的双波长红外测量仪，能 够得到石墨盘的径向和圆周温度分布情况，对MOCVD的加热炉结构改进和工艺过程控制有很大的指导意义。 关键词：红外测温法 ；温度场分布 l 引言 和温度场的均匀性，石墨盘会匀速转动。石墨盘匀速转 金属有机物化学气相沉积 (MetalOrganicChemical 动时，红外测温仪固定，红外测温仪通过圆周扫描得到石 VaporDeposition，简称MOCVD)是制备半导体器件一种重 墨盘的圆周温度分布信息。 要技术。该技术通过载气将金属有机化合物与V族或 3 双波长测温仪原理 VI族元素的氢化物运输到被加热的外延衬底上进行分 3．1 双波长红外测温原理 解并发生化学反应，反应后的生成物通过吸附沉积到外 根据红外辐射理论，所有物体都会发出热辐射能。 延衬底上形成外延薄膜。温度是MOCVD设备最重要的 单位面积的非黑体在半球方向、单位时间的辐射通量 (单 工艺参数之一，影响外延薄膜材料的质量。温度场分布 色辐射度)由普朗克公示给出： 已经成为MOCVD工艺生长的难题 。本文基于双波长红 (，)： [exp(C2／2T)一1]一 (1) 外测温原理，自主研发了双波长红外测温仪，测量精度在 1 之内，能够进行石墨盘的径向和圆周温度分析，对 式中，一物体的辐射波长；卜物体绝对温度；e MOCVD加热炉的改进和工艺过程参数的控制提供了很 ()一物体的发射率，0￡()1；Cl和 c2分别成为第 大的指导意义。 一 与第二辐射常数。 2 M0CvD加热和测量结构 Cl=2~rhc=3．71418×10一。Wm2 MOCVD的腔体 内部结构如图l： C：-hc = 1．4388×10-2mK ． 双波长测温利用两个波段的辐射能比值来测量温 度。由(1)式可以得到两个波段的比值为 砌)= =靛 c笔)exp 【『、，1 1、1 2 ．；Ilj 式中：R()一两个波长辐射能之比；1、2一波段的