气-液界面沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）纳米粉体.pdfVIP

第3期 No．3 2012年 6月 June2012 气一液界面沉淀法制备锑掺杂氧化锡 (ATO)纳米粉体术 文彪 ，王作山 ，曹家雷 (1． 苏州大学材料与化学化工学部，江苏 苏州 215021) (2． 北京~Z．z-大学爆炸科学与技术国家重点实验室，北京 100081) 纳．墓吣摘 要：~XSnC1·5HO和SbC1为原料，采用气一液界面法制备纳米ATO粉体，用粒度分析仪、X C 射线衍射仪、x射线光电子能谱仪及透射 电子显微镜研究不同掺杂量下粉体组成、分布情况以 米 及尺寸形貌；采用宽频介 电阻抗谱仪测量不同掺杂比例样品的电性能，研究表明，采用气一液界 科 O 面法制备的ATO纳米粉体粒径小、分布窄，掺杂剂分布均匀，表现出优异的电性能。当掺杂量 技 为1OAt％时，所制备的粒径为10nm左右，表现出最佳的导 电性能，电导率达到1．64x10-2Sc·m～。 O 该制备方法对于其他复合纳米粉体的合成制备具有重大借鉴意义。 关键词：锑掺杂二氧化锡；氨气；气一液界面法；导电率 PreparationofSb-dopedSnOzNano-powderbyGas-liquid InterfacePrecipitationM ethod WENBiao．WANGZuo—Shan。一一，CAOJia—Lei (1． CollegeofChemistry，ChemicalEngineeringandMaterialsScience，SoochowUniversity， Sooehow 215021，China) 2．StateKeyLaboratm7ofExplosionScienceandTechnology，BeijingInstituteofTechnology， Beijing 100081，China) Abstract：Sb-dopedSnO2(Aro)nan0一compositeswerepreparedbythegas—liquidinterfaceprecipitationmethodwith SnCI4’5H2O andSbCI3，differentdopingamountofthepowders composition，distributionandsizemorphologywereana— lyzedbytheX—raydiffraction，X—rayphotoelectronspectroscopyandtransmissionelectronmicroscopy．Effectsofdiffer— entdopingratiosonpowders conductivitywereinvestigatedwithbroadbanddielectricspectrometer．Theresultsindicated thattheSb-dopedSnO2nano-powderspreparedbygas—liquidinterfacewassmallparticlesize，na~ow distribution，uni— formdopantdistributionandshowingexcellentelectricalproperties，And Sb—doped SnO2with 1OAt％ dopingcontents hadaparticlesizeofIOnm couldshow thebestconductiveproperties．condu