如何运用建中L42812-1%2fZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100(A)%2fmin的致密SiO2膜层.pdfVIP

如何运用建中L4281 OOA／mi i 淀积生长速率低于1 n的致密S02膜层 杨彦伟 HowtOUse L42812．1亿MPECVDtODeposit BeijingJianzhong the RateiSbelow100A／min Si02Filmwhich Compact Deposition Yanwei Yang 密Si02膜层的最佳工艺条件。 Si02膜层湿氧退火淀积速率 关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) 一，引言 在Y波导芯片的制作工艺中为了阻挡质子交换时交换源在非波导区进行交换，必须事先生长一层Si02 之间，折射率控制在150±0 其Si02掩蔽膜会出现部分被湿氧水汽钻透过的变色小圆区，并对芯片最终的插人损耗造成影响。淀积Si02 A／min，为了降低生 于得到均匀组分和特性的介质膜等特点。一般PD生长Si02掩蔽膜的生长速率为350 件。 =．ECVD淀积Si02膜工艺原理 PECVD是通过使反应气体以一定的比例，在一定的压强和温度下加以一定的射频功率，使反应气体形成 等离子体，并同时产生辉光放电，生成化学活性物质，这些生成的化学活性物质再相互发生化学反应，从而在 晶片表面生成我们所需要的介质膜的一个物理化学反应过程。其介质膜的具体形成过程见下图1所示： 图1 PEOVD淀积过程中膜的形成示意图 7 805 作者简介：单位：深圳飞通光电股份有限会司 地址：深圳高新技术产业园南区科技南十二路飞通戈厦邮蝙：51 75 5E-131／1i com 电话：0 I：yanweiyan酮ph叭oatec 60 从图1我们可以看出PECVD淀积膜的过程主要包括如下几个步骤“1：1、反应气体进入反应室；2、射频 电场使反应物分解，形成等离子体，并产生辉光放电；3、气相反应导致初始膜(将组成膜最初的原子和分子) 和副产物的形成；4、初始物吸附；5、初始物扩散到衬底中；6、表面反应，导致淀积膜和副产物的产生；7、 副产物的解吸附作用；8、反应的副产物从淀积区域随气流流动到反应腔出口并排出。在反应淀积的过程中在上 下电极板附近还会由于缺失电子而出现暗区，暗区具有很大的压降和很强的电场，使阳性离子向阴极运动的速 度加快，导致后者又弹出第二个电子，这第二个电子被阴极反射回来，穿越暗区，同时维持了辉光放电现象。 在用SiH4和N20淀积Si02膜的过程中，其反应的化学方程式为…： 其反应的副产物为N2和H2，在该淀积反应的过程中影响淀积速率和Si02膜致密性的主要因素有：反应室温度、 过改变淀积的其它条件来得到我们所需要的淀积速率和良好的致密性。 三．参数对淀积膜速度和致密性的影响及工艺试验 1．温度对淀积膜速度和致密性的影晌及工艺试验 在PECVD淀积膜的过程中，温度将使等离子体和生成的化学活性物质运动加快，从而使淀积速率增加 其在HF腐蚀液中的腐蚀速率会降低，如下图2所示： i三 礁V 装 型V