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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集 2008年12月
一种基于CMOS工艺的欠压保护电路
吴惠明李航标谢毅高丽
【电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054)
摘 CMOS工艺的欠压保护电路，该模块由采样、内部基准，欠压比较器、错误消隐电路
要：本文提出了一种基于0．5pm
四个部分组成。完成在电池电压过低时，欠压保护电路输出为低，关断功率管，起到保护系统和电池的作用．电路在温度范
围为-40～120C的情况下进行了Hspice验证，结果满足设计要求．
关键词：欠压保护采样内部基准比较器错误消隐
The ofan CircuitBasedonCMOSProcess
DesignUnder-Voltage-Protection
Wu Li Gaoli
HuimingHangbiaoXieyi
ElectronicThinFilmsand P．R
(StateKeyLaboratoryof Integrated China)
ABSTRACT：An basedon CMOSProcessis inthe
under-voltage—protection-circuit0．5／zm proposedpaper,
whichconsistsof error the
voltagesampling，insidevoltage-reference，comparator,andeliminating．Wheninput
reacheslow of circuitis off aresultitcall
threshold，the
voltage outputprotectionzero，turningpowerMOS，as
unitand circuitissimulated withinthe of-40-
battery．The by
protectpowermanage Hspice temperaRLmrange
resultsmeetthe
120(2，the designrequest．
Inside Error
Keywords：Under-voltage·protectionVoltagesampling voltage-referenceeliminating
1 引 言
由于锂离子电池具有能量密度高、无记忆效
应等优点，它被越来越多的便携式产品所采用，
但它的缺点也很明显，相比传统的镍镉、镍氢电
池更为脆弱，因此过度的放电会严重影响锂离子
电池的使用寿命。另外。系统的输入电压过低， 图1欠压保护电路原理框图
功率管的开启时间过长，磁芯复位时间不够，也 欠压保护电路的原理框图如图l所示，它由
可能会导致磁芯饱和。因此设计一种专门针对
采样、内部基准、欠压比较器、错
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