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一种基于LFSR与MARCH
C+算法的
SRAM内建自测电路设计
焦慧芳。2张小波1贾新章1
(1西安电子科技大学微电子学院710071，2信息产业部电子第五研究所510610)
摘要：本文提出了一种基于LFSR与MARCH
嵌入式静态存储器(SRAM)的内建自测电路，给出了电路的仿真与综合结果．文章对比分析了这种新结构与
传统结构的特性，指出这种新结构具有可复用性、面积较小．速度较快、故障覆盖率高等优点，是一种实用
的、可推广应用的内建自测试结构．
关键词：LFSR，MARCHc+，VeriIogHDL，SRAM，内建白测试，综合
1 引言
O
嵌入式存储器是S C系统中集成密度最高的器件，而存储器又是对制造过程中存在缺
陷最敏感的器件之一，因此如何对嵌入式存储器进行完备的测试成为急需解决的课题。在很
【l】。目前，有多种较为成熟的算法支持嵌入式静态存储器内建自测试，例如MSCAN算法、
C算法等等‘1】【3】【6】。与其他算法相比，MARCHC算
GALPAT算法、MATS++算法和MARCH
法复杂度较低，故障诊断能力较强，所以得到广泛采用，成为许多新型算法的基础唧。基于
MARCH
C的算法在实现时地址大都是由计数器产生的，采用计数器作为地址发生器，产生
的地址是连续的。
事实上，对于MARCH
说明地址也可以由其他的非计数器电路来实现，如可以产生伪随机向量的LFSRt¨。与相同位
地址发生器，采用MARCH
性相当，但芯片的面积明显减少。
6
2 电路原理
MARCH BIST
C+算法是对MARCHC算法的一种改进。采用MARCHC+算法的SRAM
电路结构由控制器、地址发生器、数据发生器和比较器等模块组成，如图1所示。控制器控
制整个电路的工作，地址发生器产生测试时需要的地址，数据发生器产生测试向量，比较器
来完成对读出数据和期望数据的比较从而给出测试结果‘31。
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