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电流密度对铝合金微弧氧化膜的生长及结合力的影响.pdf
电流密度对铝合金微弧氧化膜的生长及结合力的影响
魏同波,张学俊,王 博,田 军,阎逢元
(中国科学院兰州化学物理研究所 固体润滑国家重点实验室,甘肃 兰州730000 )
[摘 要] 为了进一步探讨微弧氧化主要参数电流密度对铝合金微弧氧化膜的影响机理,先用微弧氧化技术在
Ly12 硬铝合金上获得陶瓷层,然后考察电流密度对陶瓷膜厚度及其与基体结合强度的影响,再利用扫描电镜(SEM )、
X 射线衍射(XRD )、光电子能谱(XPS )分析了氧化膜的形貌和组织结构,通过划痕试验和冲击试验研究了氧化膜与基
体的结合力。结果表明,随着电流密度的增大,陶瓷氧化膜及其致密层的增长速度均加快,但有一个极限值,氧化膜的
临界载荷降低,致密层所占比例也逐渐降低。XPS 谱图证明,微弧氧化膜表面疏松层主要由 Al 0 , Al 0 和
! 2 3 # 2 3
Al Si 0相组成,致密层由 Al 0 和 Al 0 组成。铝合金表面生成氧化膜后,随着膜厚度的增加,冲击韧性逐渐减
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低,基体断裂后,氧化膜没有发生剥落,表面出现大量微裂纹。
[关键词]
微弧氧化;铝合金;陶瓷膜;结合强度;电流密度
[中图分类号] TG174 . 451 [文献标识码] A [文章编号] 1001 - 1560 (2004 )04 - 0004 - 03
漂洗—自然干燥。电解液为K0H 和Na Si0 溶液。
0 引 言 2 3
使用MINITEST 1100 涡流测厚仪测量陶瓷氧化膜厚
微弧氧化技术[1 ~ 4 ]又称为阳极火花沉积或微等离子体
度;D/ Max RB 型 X 射线衍射仪分析膜层的相组成,以
氧化技术,是在传统的液相电化学氧化反应的基础上发展
CuK 为激发源;用PHI 5702 X 射线多功能能谱仪分析氧
#
起来的,为双阶段阳极氧化、脉冲阳极氧化等发展应用的产
化膜中各元素的化学结合能态,以AlK# 为激发源,以污染
物。它突破了在法拉第区域进行阳极氧化的框架,将工作
碳C1S 的结合能284 . 8 eV 为内标;调整反应时间,在不同电
区域引入到高压放电区域,使金属表面处在微弧形成的等
流密度下得到致密层厚度均为45 $m 的氧化膜,磨掉疏松
离子体高温高压作用下,从而在其原位生成坚硬的陶瓷氧
层后,在WS 92 型声发射附着力划痕试验机上测定氧化膜
化膜。在铝及其合金表面生成的陶瓷膜,厚度可达200 ~
与基体的结合力;用CIEM 30D CPC 冲击试验机测定冲击
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