AlGaN%2fGaN+HEMT漂移区动态电阻的分析.pdfVIP

AIGaN／GaN HEMT漂移区动态电阻分析 于国浩，蔡勇，王越，赵德胜， 曾春红，侯克玉，董志华，张宝顺 (中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，纳米器件与应用重点实验室，江苏苏州215123) 摘要：A1GaN／GaNHEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在导通电阻增加的现 象【1，21。目前可以有效降低动态导通电阻的方法有：场板结构[3，4】和AIN介质层【5】等。本论文采用叠层双 栅结构AIGaN／GaNHEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离 并可以单独加信号控制的顶栅。在动态下工作时，顶栅电极的脉冲输入信号与栅电极的脉冲输入信号同步。 在器件关态时，顶栅电极加0V偏置；在器件开态时，顶栅电极加正电压。项栅在器件开态下所加正电压 越大，器件的动态导通电阻越小。 器件结构 迁移率1080em2／V·S，方块电阻为400觚。与普通的AIGaN／GaNHEMT器件相比，双栅HEMT器件，具 有一个覆盖于栅电极上方的顶栅电极，顶栅电极和栅电极之间采用165nm厚度的Si3N。介质层相隔离，顶 栅源间距5um，栅漏间距为12um。 器件性能： 双栅HEMT器件的直流特性，如图2所示，器件的阈值电压为．3．5V，峰值跨导为7．5mS，最大饱和漏 置电路负载电阻凡为20K．Q，双栅电极采用同步双通道脉冲控制，频率0．24MHz，占空比为50％，上升沿 和下降沿时间为0．1us。栅电极导通态所加电压为+IV，关断态所加电压为．5V。 定义双栅器件开态工作模式：关断态时，顶栅电极加0V电压：开态时，顶栅电极加正电压，双栅HEMT 器件在开态工作模式下的输入和输出特性曲线，见图3。取从关态到开态转换时，器件输出电压下降到峰一 峰值的90％所用时间为开态延迟时间，取1l岬到129s的电压平均值所对应电阻为开态电阻。双栅HEMT 器件顶栅作为源场板使用时，即在开态工作模式下顶栅电极所加开态电压为0V，开态延迟时间为：1．6us； 导通态电阻为：500f2。双栅器件开态工作模式，项栅电极所加电压从0V变至IJ+30V时，器件的延迟时间 和动态导通电阻分别从1．6“s和500f2降低到0．729s和415f2，见表1。 HEMT器件动态工作，关态时，由于漂移区强电场强度的存在，缺陷态会捕获负电荷：开态时，捕获 的负电荷不能及时释放，形成负电荷积累区，耗尽相应沟道内的电子，造成电流崩塌效应，所以电流崩塌 效应主要发生在漂移区。双栅HEMT器件，关态时，加0V电位的顶栅电极可以降低电场集中，抑制缺陷 态捕获负电荷；开态时，顶栅所加的正电压可以感生出一定量的2DEG，从一定程度上补偿负电荷区造成 的2DEG降低，从而降低电流崩塌效应，图4所示为双栅器件的电阻模型图。 (1) RonD=2心ontact+氏+‰l+ARal／／P-ql+‰ ARa。=万靠丽 Q’ 2＆。。乜cl+R。+Rchannel为67Q。顶栅电容CTG为4．5x104pF／cm2，材料的电子迁移率为1080cm2／V．S。Vl为 串联电阻分压，计算得0．45V。 将以上参数带入式(1)和(2)可以得到＆l、K和RoN D的关系，通过拟合可以求得心l和I沁，如 端一侧的电流崩塌比靠近栅端一侧更严重。图6所示为双栅器件的动态开启时的输出电流和电压关系，取 值范围为to到tl时刻。顶栅电极}JN+30V电压时，器件的漏端电流远远高于顶栅加0v电压下器件的漏端电 流。器件的开启漏端电流决定了器件的开启速度。而顶栅所加正电压感生的2DEG主要补偿漂移区栅端一 侧的导通电阻，所以漂移区栅端-N的导通电阻值对器件的开启时间影响较大。 结论 采用双栅结构的AIGaN／GaN HEMT器件的开态顶栅加正电压工作模式，项栅电极力tI+30V的电压比源 场板器件具有更好的抑制电流崩塌的效果，器件的开启延迟时间和动态导通电阻分别降低了55％和17％。 基于此种工作模式，我们设计了双栅HEMT器件的电阻模型，通过拟合的方式分析了栅漏电极之间动态电 阻的分布情况，发现漂移区靠近漏端--N的导通电阻对器件的导通电阻影响更大，漂移区靠近栅端一侧的 导通电阻对器件的开启时间影