单晶硅表面力学行为的电致骤变效应.pdfVIP

中国力学学会学术大会2009 （CCTAM2009 ） 单晶硅表面力学行为的电致骤变效应1) 2) 马国军，吴承伟 ，刘天旭 (大连理工大学 运载工程与力学学部 工业装备结构分析国家重点实验室 工程力学系，大连 116024) 摘要：集成电路（IC ）约 90%都要采用单晶硅片作为沉底材料，但单晶硅属典型硬脆材料，加工过程中很容易产生 亚表面损伤，从而增加了后续加工的难度和成本，与当今 IC 发展对硅片的高质量和低成本要求存在很大矛盾。因此， 如何改进单晶硅片的加工技术方法，是相关领域研究的热点和难点。本文研究了电流场对单晶硅片表面硬度的影响， 发现电流场可以显著降低单晶硅片的表面硬度，但这种效应与电流强度、表面深度以及电流加载方式（电流分布） 等因素有密切相关，而且存在明显的尺度效应。显然，这些发现为解决硅片加工难题提供了有益的启示。 关键词：单晶硅，表面硬度，电流 引 言 目前，尽管各种各样的新型半导体材料不断出现，但 90%以上的半导体器件和电路，尤其是超 大规模集成电路(ULSI)仍都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的[1] ，因此单晶硅片的生 产加工是IC产业发展的基础。随着计算机、通信及网络技术的高速发展，IC技术的进步日新月异， 不断向高集成、高性能和低成本的方向发展。要提高芯片的集成度，特征线宽要求越来越细，光刻 机的焦深需要更短，对单晶硅抛光片的加工质量要求也就越来越高。这是因为硅基底上极其微小的 高度差异或加工缺陷的存在都有可能使IC的布线图形发生变形、扭曲、错位，结果导致绝缘层的绝 缘能力达不到要求，或金属连线错乱而出现废品[1-4] 。但为了增大IC的产量，降低IC的单元制造成本， 硅片日趋向大直径化发展，而硅片尺寸增大后使硅片容易产生翘曲变形、面型精度和表面粗糙度要 求不易保证、加工效率低等一系列问题[1-4]，这无疑给硅片的加工技术带来了许多新的挑战。 硅片制造过程大致为：多晶硅－拉单晶（棒）－磨外圆－切割－倒角－研磨/磨削－腐蚀－清洗 －抛光[3] 。然而，令人头疼的是硅片属典型硬脆材料，研磨或磨削过程中很容易产生碎裂及亚表面 损伤，尤其当硅片尺寸越大时，这种不利影响会更显著。为了改善研磨/磨削效果，传统方法往往通 过改变研磨/磨削方式入手，如平行金刚石砂轮平面磨削、旋转工作台式平面磨削、硅片自旋转磨削、 [5]砂轮磨削和延性域磨削等一大批新型研磨/磨削技术 微分金刚石磨盘磨抛、在线电解修正（EILD ） [1-5]，但这些手段效果有限，有些技术（如延性域磨削，其基本原理在于当切削深度小于某一临界值 时，脆性材料可以实现类金属式的塑性切削）本身无论是内在机理还是实现技术方面都存在许多问 题，离大规模实用化还有非常大的距离。综上所述，硅片的硬脆特性所带来的加工困难和IC发展对 硅片的高质量要求之间存在很大的矛盾，如果能通过改变硅片的表面力学性能来改善其加工工艺， 将不失为一种新途径。 近几十年来，电场（电流场）材料改性研究一直为人们所关注[6-10] 。如Yang Conrad[7]发现电 场可以降低多晶NaCl 的流变应力，增加其韧性，而且发现在塑性变形过程中电场效应是瞬时的，即 施加电场会出现应变强化，关闭电场这应变强化现象消失，即电场影响存在一个瞬时或者说骤变效 [9] [10] 应。Gilman 曾对半导体材料的电致塑性进行了研究。西北工业大学对铝合金的电致塑性效应研究 发现，电场固溶时效处理会提高 2090 合金的塑性和极限强度，尤其以塑性提高更为明显，同时还发 现，合金塑性提高的程度随电场强度的增大而有限增加，最大可提高合金塑性约 50% 。而我们在前 # # [11] 期研究工作中发现，在 45 钢淬火过程中施加电场，可以提高 45 钢的表面硬度并细化其晶粒组织 。 1) 国家自然科学基金10721062, 108