PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备.pdfVIP

半导体学报 V01．27 第27卷增刊 Supplement 2006年12月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCToRS Dec．．2006 PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe 量子点的制备* 徐天宁1 吴惠桢1’+ 斯剑霄1 曹春芳1 邱东江1 戴 宁2 (1浙江大学物理系，杭州310027) (2中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083) r)对薄 膜表面形貌的影响．在无Se束流(Rr=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状结构．当Rr较小(例如0．2)时，样 r较大(0．6)时，样品表面的三角形孔消失，出 品表面呈现三角形孑L状结构特征，孔的尺寸随尺，的增大而减小．当R 现单原子层厚度的螺旋结构．螺旋由台阶环构成，平面尺寸为1--3t．tm，表面台阶平均宽度为150nm，台阶间高度差 而改变了薄膜的生长模式引起的．最后，我们在以螺旋结构为特征的PbSe缓冲层表面自组织生长了PbTe量子点， 观察到两种高度分布的量子点． 关键词：PbSe；MBE；螺旋结构；量子点 PACC：7360F；7128；6855 中图分类号：TN304．2文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2006)SO一0087—05 延层厚度超过临界厚度时自发形成三维岛状结构． 1 引言 岛状结构的形成是由于晶格失配使PbSe外延层中 存在张应变(tensilestrain)，应变能随外延层厚度 近年来，人们对应变层异质外延产生了极大的 积聚到一定程度发生弛豫引起的．相比之下，有关 兴趣，因为其为设计和制造可调制半导体异质结构 PbTe量子点制备方面的文献报道却不多口1|． 提供了更多的自由度口]．在异质结构的实际应用中， 在缓冲层上生长量子点要求缓冲层具备良好的 要求生长过程中不仅能严格控制缺陷密度，而且能 结晶性和平整的表面，因而研究缓冲层的生长机理 够控制样品的表面形貌．应变弛豫在晶格失配异质 和表面微结构的演化是必要的．我们首先优化了作 外延中是一个重要的问题，决定了外延层体系的结 为缓冲层材料的PbSe单晶薄膜的生长参数，用原 构和表面特征的稳定性[2j．因而通过研究异质外延 层的应变弛豫机制来控制其表面形貌是十分有意义 Se束流的演化关系，观察到两种不同的应变弛豫方 的．异质外延中一类重要的应用是自组织生长半导 结构为特征的平整表面，并利用大晶格失配(5．5％) 体量子点，如在Si衬底上生长Ge量子点口]，在 产生的压应变(compressive GaAs衬底上生长InAs量子点[4]．Ⅳ．Ⅵ族窄禁带化 合物半导体由于在红外激光器和红外探测器等光电 上自组织生长了PbTe量子点． 器件方面有着重要的应用凹’6]，其量子点的制备成 为近年来的研究热点．其中，研究较多的一类Ⅳ．Ⅵ 2 实验 族半导体量子点是通过Stranski．Krastanow生长 模式在PbTe(111)缓冲层(buffer l