SiC边界层陶瓷电容器的研制.pdfVIP

第36卷 增刊1 稀有金属材料与工程 RAREMETAL AND 2007年 8月 MATERIALSENG脏ERⅡqG A邺t2007 SiC边界层陶瓷电容器的研制 秦丹丹，乔建房，邵刚，王海龙，许红亮，卢红霞，张锐 (郑州大学，弼南郑州450002) 摘要：选用d．sic(4～lO 干压成型后．在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用sEM、xRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析。 结果发现：1300℃为最佳烧结温度，该温度下最高舟电常数te)为713100；电霹器具有正的介温系数．介电常数在 50℃附近急剧增大，而介质损耗(tal讲)在该温度点急剧降低，60℃之后两者均趋于稳定，这可能与界面处产生的空 间电荷极化有关，电容器具有强烈的频率色散效应。 关键词：sic；边界层电容器：介电常数；介质损耗 321 中图法分类号：TB 文献标识码；A 文章编号：1002．185x(2007)si．0“2．03 1 引 言 物作为晶界相，获得了具有高介电常数的边界层陶瓷 近年来，随着电子线路的小型化、高密度化的迅 电容器。但高的介质损耗阻碍了sic陶瓷电容器的应 猛发展，在小型电脑、移动通信等设备日益轻、薄、 用，本试验旨在采用合适的晶界层及适当的制备方法， 短、小，高性能，多功能化的过程中，对小体积、大 以解决sic边界层电容器的高损耗问题。 容量电容器的要求愈加迫切。固体电解质电容器只能 2实验方法 适用于直流场合，在交流的情况下，半导体陶瓷电容 器则具有其特殊的重要性。目前国际流行的、已实用 2．1样品的制备 产业化的半导体陶瓷电容器有表面层型和晶界层型 选用白鸽集团生产的a—Sic(4～10I‘nI)为主晶相， (GBBLC)2种。表面层陶瓷电容器是在半导体陶瓷的 表面上形成绝缘层作为介质层，把半导体瓷体本身作 绝缘相，为了降低烧结温度，加入过渡层si02，高温 为电介质的串连回路而成。边界层电容器受Ij是在半导 体化瓷体的晶界处形成绝缘层，然后在表面涂上电极， 密结合在sic颗粒周围，形成核壳结构。采用两步包 从而形成多个串、并联的电容器网络。最终得到介电 裹法制各复合粉体。 常数很高的电容器。表面层陶瓷电容器虽有比体积电 容较大、工艺较简单和价廉等优点，但由于其介质损 耗偏大、工作电压偏低‘绝缘电阻较小、电容值随温 d-slC 度变化较大及驰豫频率过低等【”，GBBLc的研制及产 业化，从一定程度上解决了前者的不足之处。 在已有的陶瓷电容器材料的报道中，用作基体的 陶瓷材料多为具有钙钛矿结构的钛酸盐类弛豫铁电材 料。这些材料的介电常数很低，30000[”，在大多数 卜№ 情况下无法满足实际的应用要求。郑州大学与中国科 lO 30 50 70 90 学院}海硅酸盐研究所合作，于2002年首次报道了将 2州。) Sic应用于陶瓷电容器[3】。sic陶瓷材料的介电常数很 图l原始sic颗粒的Ⅺ①图谱 sic 低卜10)，通常不适合用作电容器材料【4l。然而，利用 Fi91 p叭icl船