心室电风暴-我们究竟知道多少%3f.pdfVIP

心室电风暴．我们究竟知道多少? 首都医科大学附属北京安贞医院 马长生 electrical 心室电风暴(ventricularstorm，VES)又称室速风暴、交感风暴、儿茶酚 胺风暴、植入型心律转复除颤器(implantable 年美国心脏病学会(American College Heart of Association，AHA)／欧洲心脏病学会(European SocietyCardiology，ESC) 室性心律失常治疗和心源性猝死预防指南对VES作出明确定义：24小时内自发最少 2次持续性室性心动过速(ventricular 心室电风暴主要见于冠心病及植入ICD后。其中ICD电风暴发生率在10％～28％之 间，多在植入术后1年内发生。AnandK等发现冬季是高发季节，认为神经激素水平、 缺血、血压波动等因素易触发室性心律失常导致ICD放电。心室电风暴时室性心律失 常大多是单形性室速，部分为室颤、多形性室速与室颤混合形式。 病因与发病机制 多种心脏疾病均有可能导致VES，包括器质性心脏病，遗传性心律失常(长QT 综合征、短QT综合征、Bmgada综合征、儿茶酚胺敏感性室速、家族性猝死综合征)， 非心源性疾病(急性出血性脑血管病、急性呼吸窘迫综合征、嗜铬细胞瘤危象等急性 疾病、精神心理障碍性疾病、电解质紊乱)等。急性心肌梗死导致心肌缺血是最常见 的诱发因素，而心力衰竭、电解质紊乱(低钾、低镁)、抗心律失常药物的致心律失 常作用、利尿剂过量、儿茶酚胺类血管活性药物及ICD频繁放电也可诱发VES。其 可能的机制包括交感神经过度激活，希浦系统传导异常，B受体的反应性增高等。 心室电风暴增加死亡率 AutomaticDefibrillator TrialII) Sesselberg等对MADIT-II(MulticenterImplantation Versus AVID(Antiarrhythmics Implantable 后3月内。另外，VES也显著增加了患者的急诊和住院率。研究还发现，VES是以 ICD意大利注册研究显示， Ⅵ或vF形式发生与患者的预后无明显相关性。InSync 与未发生VES的心脏再同步化器械治疗的患者相比，发生过VES者的年心衰死亡率 p=0．014)均增加。 高危因素 识别VES高危人群，建立可靠的预警指标是减少VES发生、降低其危害的重要 措施。既往系列研究通过回归分析发现VES高危因素包括：ICD植入前曾发生V御， 研究发现，患者因vT行ICD二级预防和冠心病是VES时发生VT的独立预测因素， 因vF植入ICD二级预防又是VES时发生vF的独立预测因素。新近有学者分析了 VES者的体表心电图后认为，至少两个导联ST抬高超过0．1mV且Q波宽度超过0．04s STe．Q阴性者中仅有17％发生。另有学者利用信号平均心电图研究心室晚电位的主要 ll 40ms的振幅)每增加1V，VES风险增加0．88倍；合并心房颤动者，VES风险增 加2．3倍。研究表明LAS40t56ms和(或)RMS40R11．7uV合并心房颤动时最易发 生VES。 处理与预防 VES的处理首要在心肺复苏等治疗的基础上，尽量使用电复律／电除颤终止 VT／VF，维持血流动力学稳定，但反复使用可加重心律失常的发作。同时，应及时寻 找并消除诱因和病因。纠正心力衰竭、水电解质紊乱及酸碱失衡，停用可能致心律失 常的药物、应用抗焦虑药物消除精神心理障碍等，常可使VES易于纠正。对冠心病 有适应证的患者，适时行介入或外科搭桥治疗，可有效防止VES复发。Eifling等总 结既往研究并结合经验归纳了VES和ICD电风暴的处理流程，具体见图l、2。 57 图1．心室电风暴处理流程