以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法.pdfVIP

第32卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．32 4 N0 —：望塑堑!旦 』些墅坠堡!型!!!熙堡堡咝!些壁!：墅 以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的 二次引铝低温制备法 邱春文1，石旺舟2，王晓晶3，周燕1 (1汕头大学物理系，汕头515063；2华东师范大学物理系，上海200000； 3中国科学院广州能源研究所太阳能利用实验室，广州510∞o) 摘要：本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PEc、，D法并两次引人铝的工艺制备多晶硅薄膜。第一次引入铝是为了去 除薄膜上过多的杂质；第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶。通过对薄膜样品的拉曼谱和x射线衍射(xRD)谱 分析，我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关。采用该工艺成功地制备了结晶度92％ 左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜。 关键词：多晶硅带衬底；多晶硅薄膜；等离子体化学气相沉积法；二次引铝；低温制备 1 中图分类号：0484 文献标识码：A Preparati蚰ofnIlycrystallim Smc蚰ThiIl珊I璐蛐Ch明p Sm咖Sheetsf如mPowder Sll_bst均tePECVDand Al删nin咖1T稍ce by Introducing QⅢ醌m·踟11，s珊吼aJlou2，形州G盖洳填昭3，刀幻u，硫1 (1Dq删0f Phys瞄，s}咖I帆L柚憎s畸，s}瑚啪515063，0lirIa； 2 NⅢrn丑l mp丑Ihr州【ofPhysi僻，E喊0llm 200000，c№； Un㈣畸，sI—I 3 h胁。叫0f汕Dl旺科．QI卸耐删hH6讪te0fb唧(抽ver吕i帆，cIlir惜eAc蜘0fsci曲。瞎，(知皿酣删510昕o，odm (胁涮2Ⅳ0∞如r 2002，dc∞删”M砌2003) Abs咖畦This thetech埘cstllat0ntbe 8heetsfmrll p8perdevel叩ed substmte，siUconpowder， c}leap sm00n enhancedche血cal polycrystalline6lI嘴we增d印ositedbypla蛐a vapor al删m衄州ce．11le豳0f al删m删t11e6瑁￡dnleisfo of吐le intrDducing intn)ducjng ge￡rid imp耐睁in￡he 6lInandontIle of smfjcetlle6lIn；thesecondtiIneist0re日lizemetal．induced al