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低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测.pdf
第27卷第4期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl．27NO．4
ANDMATERIALS
2008年4月 ELECTRoNICCoⅣIPONENTS Apr．2008
低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测
高金定1～，刘雄飞2，肖剑荣3
(1．湖南涉外经济学院电气与信息工程学部，湖南长沙410205；2．中南大学物理学院，湖南长沙410083；
3．桂林工学院数理系，广西桂林541004)
摘要：氟化非晶碳(a-C：F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点，普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘
介质的最佳候选材料之一。结合研究实践，综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术，工艺参数及性
能检测技术，指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因．+
关键词：半导体技术；a-C：F薄膜；综述；制备；检测；性能
中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1001—2028(2008)04-0010-04
and offluorinated
technology amorphous
Preparationtesting
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CarD0nHnntUmSwltnlownIeIeCmCC0nS住nt
GAO
Jin-din91．一，LIUXiong-fei2，XIAOJian．ron93
andElectronics ofHunanInternationalEconomics
(1．Information 410205，China；
Department University,Changsha
SchoolofCentralSouth of and
Math；Guilin
2．Physics Unive碍ity．Changsha410083，China；3．DepartmentPhysics
of
UniversityTechnology。Guilin541004。GuangxiZhuangzuZizhiqu，China)
Abstract：Fluorinatedcarbonthin lowerdielectricconstantandbetterthermal
amorphous films(a-C：F)with stability
hasbeenoneofthemost materialusedasthedielectricmaterialinthenext circuits．Themain
prospect integrated preparation
and offluorinated carbonthinfilmsathomeandabroadweresummarizedresearch
technology amorphous
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