低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究.pdfVIP

文章编号：100l一9731(2001)03·0250一02 低温制备Pb(Zr。．。zTi㈣。)0。铁电薄膜及其性能研究’ 王华”，于军1，王耘波1，周文利1，谢基凡1，朱丽丽1 摘要：采用脉冲教光沉积技术(Pu))在(100)psi村底上， 低温淀积、快速退火成琦地制备了具有完全钙杖矿结构的多晶 PzT铁电薄膜。所制备的PzT铰屯薄膜致寄、均匀．表现出良 好的舟电和轶电性能，其介电常数和介电损耗100kHz下分刖 为320和0．08，荆奈极化Pf和矫顽场E分别为14pc／c群和 58kV／咖，十5V电压下漏电流密度低于10叫A／c时。107次极 化反转后剩余极化仅下降lO％，具有较好的疲劳特性． 关键调：PzT：铁电薄膜；PLD；制备工艺 re- 中圈分类号：TM27 文献标识码：A 1引言 铁电薄膜材料具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及 非线性光学特性，在微电子学、光电子学、集成光学和微机械学 v特性进行测试。 等领域有着重要的或潜在的应用，是制各薄膜电容器、铁电存储 3结果与讨论 器件、声表面波器件、微型压电驱动器、热释电探测器等的理想 材料。特别是以铁电薄膜作存储介质的铁电存储器件具有非易 3．1 Pzl’铁电薄膜的结构 失性、高速度、高密度、抗辐射性强、操作电压低、可与半导体Si 或GaAs集成电路兼容等特点而得到广泛地研究n～．近年来． 时，薄膜是非晶或徽晶的，在2口一29。左右出现一焦绿石相峰包。 具有钙铁矿结构的Pb(zr，Ti)0a(PzT)铁电薄膜作为高介电材 450℃时钙钛矿相开始出现，随着退火温度的升高．焦绿石相逐 料在铁电随机存储器(FRAM)、动态随机存储器(DRAM)和铁 电场教应晶体管(FFET)中的应用取得了很大进展*“．但是 将其直接与半导体Sl或GaAs集成一直受到过高的成膜锰度的 530℃时，薄膜完全转变为钙钛矿相。从图谱中还可看出，薄膜 困扰．以so卜gel法或射频溅射法制备的PzT铁电薄膜在 650℃退火后表现出较好的铁电性，但由于在较低温度下遇火易 出现焦绿石相，其退火温度很难降低到600℃以下。脉冲激光 沉积(PLD)方祛具有较低的成膜温度．能够保持较好的化学计 量比，还可用于生长外延薄膜。特别是较低的成膜温度对于要 求较低温度的硅集成电路工艺来说是十分有利的。 本文采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上，低 温、快速退火制备了Pzl’铁电薄膜，并用x射线衍射(xRD)、低 频阻抗分析但、Sawyer-Tbwer电路及高阻计等分别研究了PzT 薄膜的晶相结j暂、介电、铁电性能及Fy特性。 2实验 固l不同退火温度下PzT薄膜的xRD图谱 lThe ofPZT atdif— Fig X-ray f畦ms PZT陶瓷靶材按名义成分配料，Pb0过量10％，采用传统 ferent anneal temperature 工艺压戒厚5mm、直径25mm的圆片进行烧结，烧结温度为 3．2 PzT铁电薄膜的介电性能 1200℃。基片选用电阻率为6～90·cm的(100)p_Si单晶片。 实验中，采用EMG20lMsc型准分子激光器，其输出激光波长