低电容TVS重掺硼衬底上N型高阻外延生长.pdfVIP

应用专题 APPLICATIONS 低电容TVS 重掺硼衬底上 N型高阻外延生长 ■ 王海红 [摘要] 低电容TVS广泛用于高频电路的电压瞬变和浪涌防护, 它由低击穿电压的雪崩二极 管与低电容的导引二极管组合而成，其中的低电容导引二极管需要在重掺杂的P型衬底上 生长近似本征的超高电阻率的N型外延层，抑制重掺P型衬底的自掺杂效应是高阻N型外 延生长的重要挑战。本文采用高温烘烤、低温周期性变速H2赶气等技术使得重掺B衬底 的自掺杂效应得到抑制，并在外延工艺时采用N 型外延覆盖层，最终实现了在重掺硼衬 底上生长电阻率大于150 Ω cm的N型高阻外延层，使得TVS产品8寸工厂量产。 [关键词] TVS 自掺杂 高阻外延 SRP 过渡区 [中图分类号] TN304.054 [文献标识码] A [文章编号] 1674-2583(2014)05-0028-05 如果不控制外延层的掺杂种类是比较容易得到 高阻外延的。Tokin Corp[2]的专利研究了高掺 杂N型衬底上生长高阻N型外延的方法，通过背 面抛光和背面生长N型高阻外延的方法得到，该 方法成本较高且和常规集成电路生产工艺不兼 王海红 容。有关TVS器件制作方面的专利侧重于TVS结 上海先进半导体 构的描述，未提及高阻外延的具体生长方法[3- 制造股份有限公司 6]。刘玉岭等[7]报道了P型重掺衬底上生长P型 高阻外延的工艺，另外关于P型重掺衬底上生长 1 引言 低于100Ωcm的N型外延也比较多[8-11]，对于 瞬态电压抑制器（TVS）是一种用来保护敏 在0.009Ωcm的掺B衬底上生长大于150Ωcm的N 感半导体器件，使其免遭瞬态电压浪涌破坏而特 型外延层尚无报道。 别设计的固态半导体器件，具有箝位系数小、体 本文研究了在0.009Ωcm的P型衬底上生长 积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点，因 大于150Ωcm的N型外延层的方法以及在生产过 而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。 程中遇到的问题及解决方法, 开发了在重掺硼 低电容TVS（电容小于0.5PF）适用于高频电路的 衬底上稳定生长N型超高阻外延, 实现了8寸TVS 保护，它由低击穿电压的雪崩二极管与低电容的 器件的量产。 导引二极管PIN或NIP组合而成，I层掺杂浓度很 低，因而需要在高掺杂P型衬底上生长高电阻率N 2 实验 型外延层。 本文采用应用材料公司生产的8寸减压外 Kononchuk等人[1]研究了高阻外延的生长 延设备Centura 5200，采用减压工艺，硅源气 方法，其专利未提及控制外延层的掺杂类型， 体为DCS（SiH2Cl2：Dicholorosiline）,掺杂 28 集成电路应用 2014年5月 APPLICATIONS 应用专题 图1 高阻外延TVS结构示意图 气体为50ppm