制备工艺条件对纳米Ti1-xSxO2 薄膜光催化活性的影响.pdfVIP

第39卷第6期 中南大学学报(自然科学版) 、，01．39 NO．6 2008年12月 J．Cent．South and Dec．2008 Univ．(ScienceTechnology) 制备工艺条件对纳米TillSx02薄膜光催化活性的影响 许珂敬，尚超峰，李芳 (山东理工大学材料科学与工程学院，山东淄博，255049) 摘要：以硫脲为s的源物质，以钛酸丁酯为TiO：的前驱体，以蜂窝陶瓷为载体，采用改进的溶胶一凝胶一浸渍 提拉法制备Til，Sx02薄膜，探讨热处理温度、S掺杂量及涂膜等工艺条件对Til。Sx02薄膜的光催化活性的影响。 研究结果表明：掺硫Ti02光催化剂在可见光区的吸收强度增大：采用溶胶一凝胶一浸渍提拉法制备Tihs，02光催 化剂的最佳工艺条件是：硫脲与Ti(OBu)4摩尔比为3：1，煅烧温度为600℃，涂膜层数为6。在最佳工艺条件下 制备的TihSp2纳米薄膜对亚甲基蓝的降解率可达100％。 关键词：纳米S-TiO：薄膜；掺杂；溶胶一凝胶一浸渍提拉法；光催化活性 中图分类号：0643 文献标识码：A 文章编号：1672—7207(2008)06一1229—04 Effectsof conditionsfor of technological preparation filmon Til吖02 photocatalyticactivity XU Ke-jing，SHANGChao—feng，LIFang ofMaterialsScienceand of 255049，China) (Department Technology,ShandongUniversityTechnology,Zibo Abstract：Withthioureaasthesourcesubstanceof Titanium asthe of S，with tetrabutoxide(Ti(OC4H9)4precursor titaniumdioxideandwith ceramicsas filmswere amodified carders，S-Ti02 by sol—gel-dipping honeycomb prepared oftheheat amountof andthe conditionsof process．Effectstreatingtemperature，thesulfur-dopingtechnological coating filmsonthe of filmswere resultsshowthatthe of discussed．The activity photocatalyticactivityTil-xSx02 adsorption withsuitable invisible increases．The conditionsof Ti02photocatalysts sulfur-dopinglig