双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究.pdf

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光电子 ·激光第卷第期年月 16 10 2005 10 Vol. 16 No. 10 Oct. 2005 Journalo O toelectronics Laser f p % 双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究% ! 1 2 % % 1 1 2 2 1 杨建义 !王帆 !江晓清 !屈红昌 !吴亚明 !王明华浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州中国科学院上海微系统与信息技术研究所传 1. 210027 2. 感技术国家重点实验室上海 200050 摘要对损耗影响下的双环推挽型马赫曾德光调制器的线性特性进行了研究分析表 TRAPP - M-Z 明存在损耗时设计特定的光微环与干涉臂间的耦合大小并控制偏置点总可以获得次与次 M-Z 2 3 高阶项为零的调制曲线当微环周损耗小于时线性范围总是可以达到以上当损耗过大 1 5 dB 90 时导致基于微环的全通滤波器的相位响应受限虽然调制曲线在自身范围内依然保持高的线性度但调制曲线固有的调制深度将限制整体线性范围关键词集成光学光调制器马赫曾德干涉仪线性调制光微环谐振器全通滤波器 - M-Z 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TN256 A 1005-0086 2005 10-1157-06 Linearit Of MicrOrin -assisted Push-Pull Mach-Zehnder Intensit MOdulatOry g y 1 2