宽禁带氧化锌半导体薄膜研究进展.pdfVIP

42 卷 2 期 激光与光电子学进展 Vol.42, No.2 2005 年2 月 Feb. 2005 禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展 洪瑞金 贺洪波 邵建达 范正修 (中国科学院上海光学精密机械研究所 上海 201800) 提要 氧化锌作为新一代化合物半导体 其禁带宽 对应紫外光的波长遥 氧化锌薄膜有望开发蓝光尧蓝绿光尧紫外光等多种发 光器件 具有广阔的应用前景遥 重点介绍了氧化锌薄膜的研究进展以及存在的问题 并对氧化锌薄膜的未来进行了展望遥 关键词 氧化锌 功能薄膜 紫外发射 Development of Wide-Gap Zinc Oxide Semiconductor Thin Films HONG Ruij in HE Hongbo SHAO Jianda FAN Zhengxiu (Shanghai Institute of Op tics and Fine Mechanics, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800) Abstract As a new generation of compound semiconductor, zinc oxide has widegap. Zinc oxide thin film is a promising candidate for light emission devices for blue, blue -green, and UV regions. This paper presents the research progress, the existing problems and the prospects of zinc oxide functional thin films. Key words zinc oxide functional thin films UV emission 1 引言 具有很高的化学稳定性和耐高温性 年来 除了香港科技大学和日本外 上世纪90 年代初 以氮化镓材 质 而且它的来源丰富 价格低廉遥 美国的西北大学尧加州理工大学尧怀 料P 型掺杂的突破为起点 以高效 这些优点使它成为制备光电子器件 特州立大学相继开展了该项目的研 率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体 的优良材料 极具开发和应用的价 究工作遥 目前在我国 中国科学技术 激光器的研制成功标志着 三代半 值遥 1997 年日本和香港科学家合作 大学尧复旦大学尧浙江大学尧中科院 [1] 研究得到了氧化锌薄膜的近紫外受 长春光机与物理所等一些单位都相 导体材料的兴起 遥 据专家预测 在 未来十年里 氮化镓材料将成为市 激发光 开拓了氧化锌薄膜在发光 继开展了这方面的工作 正在形成 [3] 场增幅最快的半导体材料 到2006 领域的应用 遥该研究成 发表后,在 氧化锌研究热潮遥 全国首届氧化锌 年将达到30 美元的产值 占化合 国际上引起了强烈的反响遥 Science 会议于2003 年3 月在海南召开遥 物半导体市场总额的20豫遥 同时 作 (1997 276 895) 以野Will UV Lasers Beat the Blues?冶 为题对此作了专 2 化锌薄膜的研究领域及 为新型光显示尧光存储尧光