化学浴沉积ZnSe薄膜和其光学特性研究.pdfVIP

化学浴沉积ZnSe薄膜及其光学特性研究1 陈良艳，张道礼，黄川，张建兵 华中科技大学电子科学与技术系(430074) email:zhang_daoli@ 摘 要：ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体，在蓝绿光发射器件、非线性光电器件、红 外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。化学浴沉积法是一种低能耗、污染小的 合成路线。本文使用三乙醇胺和水合阱等做络合剂，选用合适的阳离子（醋酸锌或硫酸锌） 和阴离子源(硒脲或硒带硫酸钠)浓度配比，沉积出均匀的ZnSe薄膜，薄膜呈淡黄色。用SGC-2 型椭偏仪测得薄膜厚度约为 100-140nm；通过X-射线衍射测得 400℃下N2气氛中退火的薄膜 呈闪锌矿结构，可见光范围内的透光率可达 70％以上，禁带宽度为 3.0eV左右，同块体材料 相比(2.7eV)，表现出一定的蓝移。 关键词：化学浴 硒化锌薄膜 光学特性 1．引言 ZnSe是一种重要的II-VI半导体光电材料, 在室温下宽禁带直接跃迁发光，波长在蓝紫光 范围内。对波长范围为 0.5-22µm的光具有良好透射性能，基本覆盖可见-红外波段范围，在 [1] 光致发光和电致发光器件、太阳能电池、红外探测器和激光器等领域都有重要的用途 。目 前ZnSe薄膜材料制备技术主要有气相法和湿化学法包括：化学气相沉积法（Chemical Vapor [2] [3-5] Deposition, CVD ） 、电化学沉积法（Electrochemical Deposition, ECD ） 、分子束外延法 (Molecular Beam Epitaxy, MBE) [6, 7] 、离化原子团束外延法（ICB ）、金属有机化学气相沉积 法(Metalorganic Chemical Vapor Epitaxy, MOCVD)[8]、原子层外延生长法(Atom Layer Epitaxy, ALE) 、脉冲激光沉积法(Pulse Laser Deposition, PLD)和化学浴沉积(Chemical bath deposition) 等[9-11]，其中化学浴法简单、经济，工艺参数容易调控，更适合大规模生产。特别是化学浴 沉积的ZnSe薄膜作为CIGSS基和CdTe基电池的窗口层，具有比以往使用的CdS窗口层更大的 优点，它不含Cd，能减少对环境的污染[2]，而且ZnSe 的禁带宽度比CdS(2.4eV)大，使得能量 比CdS禁带宽度大的光子仍然可以通过，有利于提高太阳能电池的光电性能。 本文通过化学浴沉积方法制备了均匀的 ZnSe 薄膜，并对其物相结构和光学性质进行了 讨论。 2. 试验 2.1 试验步骤 1本课题得到高等学校博士学科点专项科研基金（项目编号：20050487034 ）资助 - 1 - 首先是反应所需的阴离子前驱物硒代硫酸钠的制备：将一定量的分析纯硒粉加入热的 Na SO 溶液中，90°C恒温磁力搅拌加热 8 小时以上，放置一夜然后过滤出多余的硒粉。 2 3 衬底的处理：普通商用 75×25×1mm 玻璃片，用重铬酸钾溶液浸泡 24 小时以后，置于 丙酮中超声清洗，然后在无水乙醇中超声清洗，最后用去离子水超声清洗。烘箱中烘干备用。 薄膜沉积装置为本实验室自制的化学浴装置。ZnSe 薄膜的沉积：将一定量的浓度为 0.5mol/L 的醋酸锌溶液中加入体积比为 87 ％的三乙醇胺溶液并搅拌使之均匀混合，待溶液 中出现了白色絮状物时，给溶液中加入一定的 25 ％的水合肼溶液，并搅拌均匀。接着通过 加入适量的 NaOH 溶液来调节反应溶液的 pH 值，此时，溶液澄清，加入一定量的新配制的 硒