SnO2Sb薄膜的制备与光致发光性质.pdfVIP

第26卷第5期 半导体学报 V01．26No．5 0F 2005年5月 CHINESEJOURNALSEMICONDUCTORS May，2005 Sn02：Sb薄膜的制备和光致发光性质* 王玉恒 马 瑾 计 峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 (山东大学物理与微电子学院，济南250100) 摘要：用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出sn02：sb薄膜．制各样品为多晶薄膜，具有纯氧化锡的四方金红石 结构和(110)择优取向，Sb离子以替位式掺杂的形式存在于Sn0。晶格中．室温条件下对样品进行光致发光测量， 在392nm附近观测到强的紫外一紫光发射，发射强度随制备功率的增加而增强，且样品退火后发射强度也明显增 强．紫外一紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁． 关键词：Snoz：Sb薄膜；射频磁控溅射；光致发光 PACC：6855；8115C；7855 中图分类号：TN304．21文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)05一0922一05 光发射，研究了不同功率及退火对薄膜发光性质的 1 前言 影响，并对SnO。：Sb的光致发光机制进行了研究． 近年来，由于对短波长发光器件的巨大市场需 2 实验 求，人们越来越关注宽禁带半导体的研究．ZnO(带 隙为3．37eV，激子束缚能为60meV)和Mg掺杂的 Zn0一直是人们的研究热点[1~4]，并已有相应的发底上制备SnO。：Sb薄膜，系统的本底真空度是 光器件出现．最近作为宽禁带半导体的SnO。也引 起了人们的关注口~7]．与ZnO相比，SnO。有着更为和Sb。O。粉末经混合、球磨后压制成坯，再经 优越的特征，首先是更宽的带隙和更高的激子束缚 能，室温下分别是3．6eV和130meV[83；其次是较低度为99．99％的氩气和氧气作为工作气体，由可控 的制备温度和更高的化学稳定性．因此，SnO。是一 阀门分别控制气体的流量．溅射过程中，控制真空室 种很有前途的紫外和蓝光材料． 过去人们对SnO。及掺杂SnO。薄膜的研究主 要集中在透明导电和气敏性质方面，光学性质的研 射时间是25min，衬底温度为100℃． 究多限于透射、反射和折射[9~13|，有关其光致发光 用RIGAKU 方面的报道非常少．制备SnO。和掺杂SnO。薄膜材 料有多种方法，如化学气相沉积法(CVD)[1州、溶胶 5|、脉冲激光淀积法(PLD)[16]和 凝胶法(S01一gel)[14’1 电子束蒸发法(EBE)[173等．本文采用射频磁控溅射 方法制备出了锑掺杂的氧化锡薄膜(SnO。：Sb)，通的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发 过Sb的掺杂来改变Sn0。的发光性质．在室温条件光谱． 下发现SnO。：Sb在392nm附近存在强的紫外一紫 *国家自然科学基金(批准号，教育部科学技术研究(批准号：02165)资助项目 王玉恒男，1980年出生，硕士研究生，从事宽禁带半导体材料的研究． 马瑾男，1960年出生，博士，教授，从事宽带隙半导体材料的研究． 2004一07一04收到，2004—10—08定稿 @2005中国电子学会 第5期 王玉恒等： Snoz：sb薄膜的制备和光致发光性质 以看出，所制备的样品是多晶薄膜，随制备功率增 3结果和讨论 加，晶粒更加致密，晶化程度变好，晶粒尺寸变大，这 与XRD的实验结果是一