直拉单晶炉真空系统和充气系统的改进.pdfVIP

第 42卷第 2期 真 空 VACUUM VO1．42。NO．2 2005年 3月 M ar．2005 直拉单晶炉真空系统和充气系统的改进 施 政 (浙江大学机械厂，浙江 杭州 310027) 摘 要 ：直拉单 晶炉生长过程中炉 瞠内真空度的高稳定性对硅单晶正常生长起到很重要的作用。本文分析 了 引起直拉单晶炉生长过程中炉膛 内真空度不稳定的因素，通过改进单晶炉真空系统和充气系统 ．确保硅单晶 在生长过程中单晶炉炉膛内的真空度保持高度稳定 ，有助于提高硅单晶生长的质量。 关键词 ：直拉单晶炉 ；真空系统 ；充气系统 中图分类号 ：078；TB75 文献标识码 ：B 文章编号 ：1002—0322(2005)02—0020—03 Improvementofvacuum and air—chargingsystemsforCzochralskicrystalgrower SHIZheng (ZhejiangUniversityMachineFactory，Hangzhou310027，China) Abstract：Highstabilityofvacuum pressureinthehearthofCzochralski(CZ)crystalgrowingfurnaceplaysaveryimportant roleinthenormalgrowthofmonocrystallinesilicon．Discussestheinfluencingfactorsontheunstablevacuum pressureinthe furnacehearth inthegrowth processofmonocrystallinesiliconSOasto proposesometechnicalmeasurestOtaketoimprove thevacuum system andair—charging system ．Theresultsinapplicationshow thatkeepingahighstabilityofvacuum pressure inthefurnacehearthisindispensabletOimprovingthequalityofgrowingmonocrystallinesilicon． Keywords：Czochralskicrystalgrowingfurnace；vacuum system ；air—chargingsystem 直拉法 (Czochralskimethcd)是生产硅单 晶的 1 直拉法硅单晶制造工艺 主要方法，全球 7O ～8O 的硅单 晶是通过直拉法 生产的。为了提高直拉硅单晶生产中原材料的利用 现在最常用的直拉法生产硅单晶工艺是采用即 率 ，降低生产成本 ，提高生产效率，确保硅单晶参数 像真空工艺又像流动气氛工艺的减压拉晶工艺。减 的一致性 ，直拉硅单晶大直径化势在必行，与之相适 压工艺是在硅单 晶拉制过程中，连续等速地向单 晶 应必然是直拉单晶设备的大型化和 自动化，并相应 炉炉膛 内通入惰性气体 (一般采用的是高纯度的氩 提高设备的整体稳定性 ，解决大直径直拉硅单晶中 气)，同时真空泵不断地从炉膛 向外抽气，保持炉膛 电阻率的微区不均匀和晶体的不完美性 (包括微缺 内真空度稳定在 2．67×10。Pa(20Toor)左右 ，这种 陷、结构缺陷、杂质条纹等)E13。在传统的直拉硅单晶 工艺既有真空工艺的特点 (炉膛 内保持负压)，又有 生长过程中，氧是主要的非故意渗入杂质[2]，大直径