磁控溅射薄膜沉积速率的研究.pdfVIP

第 25 卷 　第 4 期 　　　　　　　　　　西 　安 　工 　业 　学 　院 　学 　报 　　　　　　　　　　Vol25 　No 4 2005 年 8 月 　 　　　　 　　　JOURNAL OF XIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY　 　　 　　　　　Aug. 2005 ( ) 文章编号 : 2005 0430704 磁控溅射薄膜沉积速率的研究 1 ,2 1 1 惠迎雪 , 杭凌侠 , 徐均琪 ( 1. 西安工业学院 光电工程学院 ,西安 710032 ;2. 西北工业大学) 摘　要 : 　沉积速率是影响薄膜性能的重要参数 ,直接影响着薄膜质量的优劣. 本文采用磁控 溅射方法 ,在玻璃基底上沉积钛膜. 通过对比研究了平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射两种工作 模式下 ,靶基距、氩气流量等工艺参数对沉积速率的影响 , 同时测试了非平衡磁控溅射线圈励 磁电流大小变化对薄膜沉积速率的影响. 结果表明 :磁控溅射源以非平衡模式工作时 ,线圈励 磁电流在 60～180 A 范围内 ,沉积速率随励磁电流的调整而变化 ;磁控溅射薄膜沉积速率随靶 基距的增大而下降 ;相同工艺条件下 ,非平衡模式下薄膜沉积速率高于平衡模式 ,且更易受到 氩气流量变化的影响. 关键词 : 　磁控溅射 ;非平衡磁控溅射 ;沉积速率 ;工艺参数 中图号: 　O484. 4 　　　文献标识码 : 　A 　　　 　　沉积速率是影响薄膜性能和镀膜设备性能的 种功能薄膜[5 ] . 本文对 MS 和 UBMS 两种工作模式 重要因素. 它的大小直接影响薄膜的许多性能 ,如 下薄膜沉积速率进行系统的研究 ,采用磁控溅射在 牢固度、薄膜应力、电阻率、薄膜硬度、表面光洁度、 玻璃基底上制备钛膜 ,研究了线圈励磁电流、靶基 表面形貌以及薄膜的微观结构等[1 ] ,对沉积速率的 距和气体流量等工艺参数对沉积速率的关系 ,得出 研究是了解镀膜设备工作特性的主要内容. 了一些有意义的结论. 在实际的镀膜过程中 ,沉积速率可能与许多因 素有关 ,如靶功率、靶基距、工作气压等. 对于磁控 1 　镀膜设备 溅射镀膜来说 ,提高溅射镀膜速率的关键在于如何 实验在白俄罗斯 By-700 型非平衡磁控溅射镀 提高等离子体的密度或电离度 , 以降低气体放电的 膜机上进行 , 图 1 为实验装置的系统结构图. 磁控 阻抗 ,从而在相同的放电功率下获得更大的电流 , 溅射沉积系统由一个磁控溅射靶和一个激励电流 也就是获得更多的离子轰击靶材. 而提高等离子体 可调的电磁线圈构成. 当电磁线圈不工作时 ,溅射 的密度或电离度的关键在于如何充分的利用电子 系统工作在平衡模式 ,当电磁线圈通上一定的电流 的能量 ,使其最大限度的用于电离. 非平衡磁控溅 时 ,从靶面穿出的磁通量不等于穿入的磁通量 ,溅 ( ) 射 unbalanced magnetron sputtering ,UBMS 技术作为 射系统工作在非平衡模式下 , 电磁线圈的激励电流 一种新型的技术 ,通过附加的磁场 ,使阴极靶面的 在 0～180 A 之间 ,所以等离子体的空间分布是可 等离子体状态发生较大改变 ,从而不仅具有普通磁 以调节的. ( ) 控溅射 magnetron sputtering ,MS 过程稳定、控制方 实验所用的磁控