IGBT使用可靠性研究.pdfVIP

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IGBT使用可靠性研究.pdf

维普资讯 维普资讯 讨论 焊机中电子元器体的选择与应用 专题讨论 雹珲俄 第37卷 耐压方面 :必须能够承受电源的最大空载电压 , R,但过低 的R却使关断过 电压加剧 ,因此应该在 同时要考虑电网电压瞬态尖峰 、电压波动 、开关 电 开关损耗允许 的情况下采用大的R 值[1]。 流引起的电压尖峰等方面的影响,并具有一定的裕 2.3 EXB84o/1驱动电路 量 ,因此选用 IGBT的耐压值应该约为稳态 时加在 EXB840/1厚膜驱动电路采用单电源 (+20V)供 其两端 电压峰值的两倍以上。 电,可产生+15v/_5V的正负偏压,具有过电流检测 额定电流 :必须能够承受电源的最大额定电流 , 和保护软关断等主要功能,其外围电路 比较简单 ,最 同时IGBT的集 电极峰值 电流必须处在 IGBT开关 适合于驱动300A/1200V、400 V以下的IGBT。 安全工作区以内,以及能够承受一定程度的过载 ,因 但是 EXB840/1存在约 3 s的保护盲区,且无过电 此选用 IGBT的额定 电流值也应该约为最大电流 流保护 自锁功能 ,负偏压不足(一4.5V),软关断保护 值的 1.5倍。 可靠性差。 2 IGBT栅极驱动设计 因此 ,在对 EXB841使用时需要做一定的改进 , IGBT的栅极通过一层氧化膜与射极实现 电气 如图 1所示。将其内部的5V稳压管抛开 ,在外部接一 隔离。由于此氧化层很薄 ,其击穿电压一般只能达到 8V稳压管 ,同时为了保证+15V的正偏压 ,将其 20 20~30V,因此 ,栅极击穿是 IGBT失效 的常见原因 V单 电源提高到23V,这样就将其 内部一5V的负偏 之一 。 压提高到一8V。这样不仅将过电流检测门槛电压 由原 IGBT的驱动电路是 IGBT与控制 电路之间的 来 的7.5V降低到4.5V左右 ,同时还缩短了其保护 接 口,它对 IGBT的正常运行具有非常重要 的影响。 盲区的时间。另外将负偏压提高还提高了IGBT的关 采用一套性能良好的驱动电路 ,可缩短开关时间,减 断能力 ,弥补了EXB841偏压不足的缺陷。 小开关损耗 ,使 IGBT工作在较理想的开关状态下, SV 23V 同时对电源的运行效率 、可靠性和安全性都有重要 的意义。另外,一套性能良好的驱动电路 由于本身具 TLP52l 有多种保护措施 ,可以防止在运行 中的一些意外冲 :[ 击对 IGBT造成损坏 ,因此驱动电路 的选择和设计 lkn 显得尤为重要。 2.1 栅极正偏压和反偏压设计 栅极正偏电压+ 增加 ,则 IGBT的开关损耗 6.8/2W — 二]一 和 将减小 ,但是集电极 电流 随+ 的增加而

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