Sr掺杂锆钛酸铅（PSZT）薄膜的电可调性能研究.pdfVIP

维普资讯 第 27卷 第 3期 电 子 元 件 与 材 料 VO1．27NO．3 2008年 3月 ELECTRoNIC CoMPoNENTS AND M ATERIALS Mfir．2008 Sr掺杂锆钛酸铅(PSZT)薄膜的电可调性能研究 邵起越，董 岩，方 峰，蒋建清 (东南大学 材料科学与工程学院，江苏 南京 211189) 摘要：采用sol—gel工艺制备 了sr掺杂Pb(Zr，Ti)O3薄膜(PblSrxZr052Ti0．48O3，PSZT)，研究了sr含量 (=0．2～0．8) 对 PSZT薄膜的结构和性能的影响。结果表明：随sr含量增加，PSZT由四方相转变为立方相，相变温度降低，逐渐 由铁电相向顺电相转变。薄膜的 、可调率和tan 随sr含量增加逐渐减小，这与sr含量的增加导致PSZT薄膜晶格 收缩有关。当x(Sr)为0．6时，PSZT薄膜具有较好的综合性能 (1MHz)：可调率为。48％，tan 为0．02，表明PSZT有 望成为电可调微波器件的候选材料。 关键词：无机非金属材料；锆钛酸铅；Sr掺杂；电可调性能；sol—gel法 中图分类号：0484．4 文献标识码：A 文章编号：1001—2028(2008)03—0051-04 StudyonelectricallytunablepropertiesofSr—dopedleadzirconate titanate(PSZT)thinfilms SHAoQi-yue，DoNGYan，FANGFeng，JIANGJan-qing (SchoolofMaterialScienceandEngineering，SoutheastUniversity,Nanjing 2l1189，China) Abstract：Sr-doped leadzirconatetitanate (Pbl_xSr~Zr0．52Ti0．4803，PSZT)thinfilmswithdifferentSrcontentwere prepared by thesol—gelmethod．With increasing ofSrcontentPSZT filmsexhibita more paraelectricnaturein room temperatureregion．Tunability， andtan ofPSZTfilmsdecreasewithincreasingofSrcontent，relatedtOshrinkageof latticeconstantduetOSraddition．Optimum propertiesfortunabledeviceapplicationwereobtainedofrPSZTfilmswith60％ Sr(molefraction)．Thetunabilityandtan of PSZTfilmswithx(Sr)=0．6atlMHzare48％and0．02．respectively．These resultssuggestthatSr-dopedPZTisapotentialcandidateofrelectricallytunableapplications． Keywords：non-m·etallicinorganicmaterial；leadzirconatetitanafe；Srdoping；electricallytunableproperty；sol-·gelmethod 钙钛矿铁 电材料因其大的介电非线性 (即 随外 的铁电材料体系之一。但 PzT居里温度较高Ix(Sr) 加直流偏压的增加而迅速减小)和小的tan