ⅢA元素掺杂对ZnO电子结构的影响.pdfVIP

维普资讯 32 激《光杂志》 翳 杂对zn躲锿 01．28．№．5_20cr7) ⅢA元素掺杂对 ZnO电子结构的影响 郭茂田1,2，李 丽 ，张晓芳 ，1．中国科学院安徽物质科学研究院，合肥 、2．郑州大学物理工程学院，郑州 450052 提要：采用基于密度泛函理论的第一性原理缀加投影波赝势法，分别对ZnO、掺 B、Al、Ga、hl的ZnO的电子结构进行计算。与未掺杂ZnO 相比，ⅢA族元素掺杂ZnO的光学带隙变宽，可见光透光能力增强、费米能级进入导带，导电能力提高，适合作透明导电膜，其中Ga掺杂ZnO的 透明性和导电性更好，最适合做透明导电膜。 关键词：ZnO；掺杂 ；电子结构 ；态密度；光学带隙 中图分类号：TN340．2 文献标识码：A 文章编号 ：0253一 43(2007l05—11032—02 eeffectontheelectronicSlurctureofZnObydopingⅢA element GUO Mao——tiua1,2H Li2ZHANG Xiao——fuag~ f、1．HefeiInstitutesofPhysicalscience，ChineseAcademyofSciences，Hefei230031，China；1 2．PhysicalEngineeringCoHegeofZhengZhouuniversity。ZhengZhou450052，hC ina ， Al~met：ElectoniestructureofZnOdopedwithB，AI，Gahavebeendone，usingfirstprineipleealeulationwithp ect—augmentedwavemethodbasedon htedensityoffunctionhteory．ComparingwitIlhteundopod ZnO。itindicates thathteopticalenergygapsa broad，htevisiblelighttransmiaicea enlumced． Feimienergylevelscometoconductorbuad。whichwi11reinforcehteconductanceofZnO．SoⅢAelementsdopedZnOaresuitablefortransparencyconductive film．AmongallhtedopedZnO。htetransparencyconductiveofhteGa—dopedZnOishtebetterthananyohter，SoGa—d叩edZnO ishtebesthcoiceforhte ammpareneyocnductivefilm ． Keywords：ZnO；dopeelectronicstructure；densitystate；opticalbandgap ZnO具有纤锌矿晶体结构，是一种宽禁带、自激活、直接 120~，c／a=1．602，比理想的六角密堆结构 1．633要小。为研 带隙半导体材料。室温下其禁带宽度约为3．37ev，对应于紫 究掺杂Zn0，将原胞晶格扩大为两倍，构造了一个包含 32个 外光波段。将CdO，Mg0掺人ZnO可调整其带隙(2．8eV一4． 原子的超晶胞(Zn】606)，如图 la所示。然后，分别使用ⅢA 2eV)，从而覆盖红光到紫光光谱范 围，有望开发 出紫外 、绿 族元素B、Al、Ga、In取代该ZnO超晶胞中的一个 zn原子建立 光、蓝光等发光器件l1l2】。ZnO有较大 的激子束缚能 (室温 模型。 60nlev)，结晶完整的ZnO在室温下激子不会分解，易