基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制.pdfVIP

第13 卷第4 期 功能材料与器件学报 VoI. 13 ，No. 4 2007 年8 月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Aug.，2007 文章编号：1007 - 4252 （2007 ）04 - 0367 - 04 基于薄膜SOI 材料的GaN 外延生长应力释放机制 1 1 1 2 2 2 2 孙佳胤 ，陈静 ，王曦 ，王建峰 ，刘卫 ，朱建军 ，杨辉 （1. 中科院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海200050 ； 2 . 中科院半导体研究所，北京 100083 ） 摘要：本文研究了SOI 衬底上采用MOCVD 方法生长GaN 材料的应力释放机制。采用SIMOX 工艺 制备的具有薄膜顶层硅的SOI 材料作为外延生长的衬底材料，采用MOSS 在位检测系统以及拉曼 测试作为GaN 内部应力的表征手段。结果表明，SOI 材料对硅基GaN 异质外延中的晶格失配应力 和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI 材料通过顶层硅与外延层的界面滑移，将一部分晶格失 配应力通过界面的滑移释放，并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用，将一部分热失配应力 转移到衬底，从而有效地降低了GaN 外延层的张应力。 关键词 ：绝缘体上的硅；氮化镓；金属有机物化学气相外延；降低应力 中图分类号： TN304 文献标识码：A Stress reduction of GaN deposited on SOI substrates by MOCVD SUN Jia-yin1 ，CHEN Jing1 ，WANG Xi1 ，WANG Jian-feng2 ，LIU Wei2 ，ZHU Jian-jun2 ，YANG Hui2 （1. The State Key Laboratory of FunctionaI MateriaIs for Informatics ，Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnoIogy ，CAS ，Shanghai 200050 ，China ； 2 . State Key Laboratory on Integrated OptoeIectronics ，Institute of Semiconductors ， CAS ，Beijing 100083 ，China ） Abstract ：The stress reduction in GaN epiIayer deposited on SOI substrates by metaI - organic chemicaI vapor deposition （MOCVD ）was studied. The SOI wafers fabricated by separation by impIanted oxygen （SIMOX ）technoIogy with thin top siIicon Iayer were used as the substrate. The in - situ muItipIe beam opticaI stress sensor （MOSS ）system and Raman spectra were used to characterize the stress in GaN epi- Iayer . The resuIts show that the S