以废旧硅芯片回收高纯硅的工艺研究.pdfVIP

·94· 中国太阳能光伏进展 以废旧硅芯片回收高纯硅的工艺研究 徐华毕1-2梁宗存2沈辉2李仲吉3 1中国科学院广州能源研究所广州510640 2中山大学太阳能系统研究所广州510006 3深圳先行电子有限公司深圳518108 【摘要】 当前高纯硅材料已经成为制约太阳能光伏产业发展的瓶颈，针对太阳能级硅材 料紧缺的总体形势，本文对来源于半导体器件行业的废旧硅片进行回收处理， 主要是对不同样品进行分类并对硅片表面掺杂层采用喷砂和化学腐蚀处理，并 对样品进行了扫描电镜(SEM)和电学性能方面的测试和分析。结果表明使用 该方法回收处理废旧硅片切实可行，并能有效地节约利用高纯硅材料，对当前 供不应求的太阳能级硅材料起到一定的补充作用。 【关键词】 废旧硅片；回收处理；喷砂；化学腐蚀 on of SiliconMaterials StudyTechnologyRecyclingHighPurity fromWastedSemiconductor Chips XUHuabil·2LIANG SHENhui2LI Zongcun2 Zhongji3 1GuangzhouInsfituWofEnergyConversionofChineseAcademyofScience，Guangzhou，510640 2Institute ofSolarEnergySystem 3 ShenzhenSunshincElcctroⅡics Co．，Ltd，Shenzhen。518108 ‘ 0引言 在太阳能光伏产业飞速发展的今天，制备太阳电池所需的高纯硅材料已经成为制约光伏 产业发展的瓶颈。目前高纯硅材料因其提纯技术为美国、日本、德国等少数发达国家所垄断 而在世界范围内呈现供不应求的局面。据有关资料统计2006年我国高纯硅材料总需求量达到 3 200吨，PV用2700吨)，而我国当前高纯多晶硅年产能力约为400 800吨(其中IC用l 吨，不到世界总量的1％，市场缺口很大，因此所需多晶硅几乎完全依赖进口。针对当前我国 高纯硅材料严重紧缺的总体形势，本文研究了半导体器件废旧硅片的回收处理工艺，主要是 采用喷砂和化学腐蚀的方式除去硅片表面介质层和含金属掺杂层，以低成本回收高纯硅材料， 从而缓解高纯硅材料的紧缺局势。 晶体硅太阳电池及材料．95． 1实验 1．1实验设备和试剂 酸(CH3C00H)。 ‘ 1．2试验步骤 1．2．1喷砂试验’ 由于回收的废旧硅芯片样品(分为A、B、C……J．卜类)中A和c两类样品为较小的碎 片，故将其余较大的八类样品分别作喷砂试验。分别将B、D等八类样品粘贴在工件上排成 一列，在3．5 同喷砂时间的样品。 ．。 1．2．2化学腐蚀 酸(HF)浸泡脱除表面保护膜过后的十类样品各取数片放进该混合液中进行化学腐蚀。每隔 半个小时分别将各样品取出一片用去离子水冲洗后晾干，这样即可得到腐蚀时间依次相差半 个小时的若干组腐蚀样品。 ， 1．3测试 400 本实验主要采用QuantaF型热场发射环境扫描电镜一能谱一电子背散射衍射系统