GaAsSbGaAs量子阱激光器结构的发光研究.pdfVIP

第 卷 增刊 红 外 与 毫 米 波 学报 ， 20 VoI . 21 SuppI . 年 月 ， 2002 3 J . Infrared MiIIim . Waves March 2002 GaasSb/ Gaas 量子阱激光器结构的发光研究! ，） ） ） ） ） 江德生1 2 王江波1 C . Navarro1 梁晓甘2 陈志标1 1） 1） 1） 1） 1） 俞水清 S . Cha arro S . Johnson 曹 勇 张永航 p 1） （ ， ， ， ； EIectricaI En ineerin De t . Arizona State Universit Tem e AZ85287 USA g g p y p 2 ）中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室，北京， ） 100083 摘要 研究了 应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光 结果表明，分子 GaAsSb/ GaAs . 束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化，证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重 要影响 同时，低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移，具有 类量子阱的特点 应变补偿量子 . ! . 阱激光器在波长为 附近激射，阈值电流密度约为 2 1. 3 m 1. 8kA/cm . 关键词 GaAsSb，量子阱，激光，光致发光. LUMINESCENCE PROPERTIES OF GaasSb/ Gaas 0UaNTUM WELL LaSER STRUCTURES ! ，） ） ） ） JIANG