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第41卷 第4期 稀有金属材料与工程 Vok41，No．4 2012生 4月 RAREMETALMATERlALSANDENGINEERING 2012 April 印刷电路板上化学镀钯工艺研究 吴道新，刘迎 (长沙理工大学，湖南长沙410000) 摘要：采用L9(34)混合正交体系，系统地研究复合络合剂一乙二胺、乙_胺四乙酸_钠和丙烯酸在不l刊工艺参数和不 同添加配比情况下对化学镀钯质量的影响，以镀层的光亮度，镀液的稳定性和沉积速度为评价指标，筛选出最伟的化 学镀钯添加剂为：乙二胺0．2mol／L，乙二胺四乙酸二钠0．01mol／L，丙烯酸0．3mol／L，pH值8。研究结果表明，优化 后的化学镀钯镀液稳定性高、沉积速度快、钯膜与基体镍镀层结合力强、钯镀层光亮性好。 关键词：化学镀{Pd；络合剂；正交 中图法分类号：TQl53 文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2012)04-0681-04 迄今为止，在双列式封装电路以及其它的各种混 甲胺硼烷作还原剂的乙二胺络合物化学镀钯槽。后来， 合电路中，特别是经常用于搭载半导体『nI块、半导体 1997年他们又报道了用甲酸作还原剂的钯一乙二胺络 的封装基板、便携电话基板等需要高可靠件的表面处 理时首选金镀膜。然而，金是稀缺的贵金属材料，市 出了一种使用钯氨络合物与氯化铵一起作稳定剂、次 场价格常常连续地急剧上升且居高不下。因此替代金 磷酸盐作还原剂的实用化学镀钯槽。当用次磷酸盐作 的技术引人关注。钯镀层的硬度比金硬，能承受弯曲、 还原剂时，镀层中有少量共沉积磷。 扩展和摩擦。钯镀层的接触电阻很小，可焊性和耐磨 专利文献CN 性良好，是优良的电接点镀层，成本又比金低，且钯 以甲酸为还原剂。化学镀钯溶液具有稳定性差、毒害大、 的密度只有金的62％，沉积同样厚度的镀层，所需钯 废液难以处理等缺点。日本未审专利公开No．平 的质量比金少。所以在电路板行业中被认为是代金镀 层的最佳选择[1】。 钯盐，氨和胺类化合物、脂肪族单羧酸、脂肪族二羧酸 最早的镀钯专利是1885年由Pilet获得等。当镀液连续使用时，钯的镀覆速率随时间而改变， (USP3301495)，题目是“白色钯层的生成法”，镀液难以控制薄厚。最新的化学镀钯液可以列举出专利文献 CN 由氯化钯、磷酸铵、磷酸钠、安息香酸组成【2]。1954 槽，缺点是随着镀槽中肼的消耗，镀覆速度急剧下降。 年～1963年Rhoda开发了几种用肼作还原剂的渡槽。 1 次磷酸镀槽则可在很长一段时间内保持稳定的镀速，且 968年Sergienko开发了一种含乙二胺、乙二胺四乙 酸和次磷酸盐的稳定化学镀钯槽13】。1987年Paunovic产生的钯涂层光滑具有高光泽，但以氨作为主要络合剂 和Ting利用电化学方法研究了肼作还原剂的化学镀的体系，在较高的温度下，如40℃以卜-，氨挥发镀槽 钯的基本情况。1988年Stremsdoerfer等人提出了一种 中pH急剧变化，不利于工业生产。而且由于氢在钯镀 以盐酸羟胺作还原剂的新型镀槽，该镀液中金属含量 层内藏量高而引起很高的内应力，厚时易产生裂纹，将 较低，在20℃下的酸性介质中具有较高的沉积速度 样品移出镀液时会造成瞬时裂纹和脱层。 并获得了良好的结构和结合力的镀层[1]。1993年Shu[4】现今化学镀钯在某些应用上已经发展成了化学 等利用电化学极化测量研究了含钯氨络合物、乙二胺