利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中GaAs 的反应启动时长.pdf

论文 利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中 GaAs的反应启动时长 刘霖 叶玉堂 吴云峰 方亮 陆佳佳 (电子科技大学光电信息学院，成都610054．E．mail：juanxiul@uestc，edu．cn) 摘要提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法．该方法的实质是利用反应启动时 必然有化学热吸收或释放，从而引起材料表面液膜温度变化这一特点，通过红外热成像实时监测系统， 采集液膜温度变化过程的红外热像，从而判断反应启动时长．实验发现，2nml宽线形液膜是较为理想 的监测对象，因其同时具备温度变化信息和空间分布信息，可以将线形液膜中心作为理想的观测特征 点：由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜，温度交化灵敏度高，GaAs竖直放置，可以避免液 膜重力对启动时长的影响，获得更为准确的监测数据．在本实验条件下，由线形液膜的横向剖面灰度变 S和 0．3～0．4 S之间．该方法的提出，对于快速刻蚀技术以及固．液吸附等性能研究均具有重要价值． 关键词红外辐射实时监测 液滴 液膜砷化镓 不断提高刻蚀速率，被普遍认为是湿法刻蚀技 相关信息，这一方法也可用于其他材料腐蚀反应启 术持续发展的根本所在11J，因为与干法刻蚀技术相 动时长的监测．造成湿法化学刻蚀启动时长的根本 比，只有不断提高刻蚀速率，才能克服横向腐蚀【21等 原因在于固一液表面吸附特性的影响，因此，影响固． 缺陷，进一步突出其应用面广pl、成本低M】、选择腐 液表面吸附性能的因素，诸如重力、迟豫时间、腐蚀 蚀性能好f51等优势．快速湿法刻蚀技术一直是国内外 液浓度、液膜厚度、液滴运动速度等均会影响到反应 学者的研究热点，例如，Walczak等人[6】利用微波处理启动时长的精确测定，本文采用数值基片液滴残留 溶液，增强Si的化学刻蚀速率；Tanaka[71报道了接近液膜的方式，尽可能地避免重力与液膜厚度对启动 沸点的KOH溶液快速刻蚀半导体材料的相关方法；时长测量精度的影响． 本课题组也报道了利用YAG激光辐照提高GaAs刻 1实验系统与方法 蚀速率，得到性能更好的直线凹槽【81等等． 实验系统如图1所示．该系统主要由红外热像 随着刻蚀时间的不断缩短(通常为秒级，甚至在 仪、三维平台、黑箱、自动气压喷雾器以及计算机构 1 S左右)，对时间的控制精度要求也越来越高【9】，化 成，红外热像仪和三维平台是直接影响监测效果的 学反应启动时长”研(刻蚀材料与腐蚀溶液从开始接触 到腐蚀开始需要一定的时间)的存在，对快速刻蚀的 主要单元．红外热像仪热响应时间小于4ms，分辨率 时间控制而言，有着较大影响，已经不容忽视．但至 为320x240，等效温度分辨率小于100mK@30。C；三 今仍缺乏有效的技术手段对反应启动时长进行测定， 维平台最小分辨率0．01min，全行程重复定位精度小 于1．7 往往对其进行大致估计或完全忽略，这一缺失将最 Um． 终制约快速刻蚀技术的进一步发展． 通过计算机监视器、控制单元以及三维平台的配 本文从化学反应过程伴随热生成这一现象，利 合作用，将红外热像仪及喷雾器调节到合适位置，腐 用红外热像实时监测系统，对竖直GaAs表面滑动液 滴残留线形液膜进行红外灰度实时采集，从中获得 了反应启动时长以及腐蚀液浓度对反应启动时长的 2007一叭．15收稿，2007—04．28接受 省科技厅课题(编号：04GG021-020-01)资助 WWW．scichina．com 1207 万方数据 褂学