稀土在银基接触材料中的作用与应用.pdfVIP

· 76 · 材 料 开 发 与 应 用 2008年 12月 文章编号：1003．1545(2008)06-0076-06 稀土在银基接触材料中的作用与应用 贾志华，马 光，王 轶，郑 晶 (西北有色金属研究院，陕西 西安 710016) 摘 要：介绍了稀土在银及银合金电接触材料中的作用、特点及影响效果 ，阐述了国内外稀土银合金电接触材 料的应用情况 ，展望了稀土银合金的发展前景。 关键词 ：稀土；银基 ；电接触 中图分类号：TM20；TM205．1 文献标识码：B 银及其合金是电接点材料中用量最大的贵 义：首先是凝固过程中的细化作用，这是 由于RE 金属。近20年来，为改善银基材料的电性能，抗 增大成分过冷，使溶体中结晶前阵RE溶质浓度 熔焊和抗电弧能力，提高电接点寿命…，相继开 增高，阻碍晶体长大。RE原子半径越大 (亦即溶 发了银一氧化锡、银 一氧化锌 以及银稀土触点材 质与溶剂原子半径差越大)，成分过冷越大，细化 料，其中添加稀土元素的银电接触材料的性能改 晶粒作用越强。因而轻稀土元素 比重稀土具有 善尤为明显。本文综述了国内外关于稀土在银 更强的细化晶粒作用。其次，在退火过程中RE 基 电接触材料中的研究和应用情况。 亦阻碍晶粒长大。这主要是晶界偏聚，围绕晶界 形成了高浓度RE的气氛，阻碍晶界迁移。如稀 1 稀土在银基接触材料中的作用 土元素Ce的原子半径 (0．1825nm)比银的原子 半径(0．144nm)大得多，所以Ce原子很容易填 1．1 稀土对银的作用特点 补正在生长中的银合金晶粒新相的表面缺陷处， 上世纪80年代初，一些学者研究 了稀土对 生成能阻碍 晶粒继续生长 的膜，从而使 晶粒 银贵金属接触材料组织结构的影响，其特点可归 细化 。 纳为以下4个方面 ： (4)增大位错密度与降低堆垛层错能：稀土 (1)在退火态合金中，稀土元素活性大，多与 降低了基体金属的层错能，增大了位错密度。稀 基体金属或杂质元素形成分散的第二相高熔点 土元素一般为+3价，加入低价具有面心立方金 金属问化合物或氧化物偏聚在晶界上，这些分散 属银中，都将使基体金属的层错能降低，因而稀 的第二相强烈地钉扎晶界和层错的热运动，对晶 土元素加人贵金属银中可降低基体金属的堆垛 界产生强烈的阻力。而在晶内RE浓度较低，且 层错能，这将导致位错组态和晶界结构发生改 分布大体均匀。从而导致银基体金属再结晶温 变，并使其处于更稳定的低能状态，从而提高了 度提高和晶粒组织细化。 位错密度 。 (2)膨胀晶格 ：无论是Y，还是La和Ce，其原 1．2 稀土对银及合金性能的影响 子半径与Ag相差较大，原子尺寸相差25％以上， 稀土与贵金属银形成复合电接点材料后，不 因而在固溶体范围内，稀土元素使贵金属基体晶 仅基体的金属力学性能、高温性能和电学性能得 格发生明显膨胀。合金发生晶格畸变，导致基体 到改善，而且保持了基体金属的物理和化学性 金属固溶强化效果明显。 能，这些有