湿法和溶脱法的亚微米ZnOAl光栅制备.pdfVIP

第24卷第11期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．24。No．11 2012年11月 HIGHP()WERI。ASERANDPARTICI。EBEAMS Nov．，2012 文章编号： lool一4322(2012)11—2613一05 湿法和溶脱法的亚微米ZnO：Al光栅制备’ 刘仁臣， 吴永刚， 夏子奂， 王振华， 唐平林， 梁钊铭 (同济大学精密光学工程技术研究所．上海200092) 摘要： 以激光干涉法得到的光刻胶图案为掩模，采用湿法刻蚀和溶脱一剥离法制备了具有良好减反射 特性的亚微米掺铝氧化锌(zn()：Al，Az())光栅。表面形貌特征和反射光谱测试结果表明，湿法刻蚀较溶脱一 剥离法得到的AZ()光栅表面更为粗糙，两者均方根粗糙度分别为25．4，7．6nm。在400～900nm波段．两种 方法制备的周期和高度相同的光栅，平均总反射率分别由AZ()薄膜的12．5％下降到8．3％和lo．2％。两者 的平均镜面反射率分别为6．2％和6．6％，平均漫反射率分别为2．1％和3．6％。湿法刻蚀得到的表面较为粗 糙Az0光栅的漫反射明显减弱，从而导致总的减反特性优于溶脱一剥离法得到的表面起伏相对较小的Az() 光栅。 关键词： 亚微米光栅；掺铝氧化锌；激光干涉法； 湿法刻蚀；溶脱一剥离法 中图分类号： 0436．1 文献标志码： A doi：10．3788／HPLPB20l22411．2613 掺铝氧化锌(Zn()：AI，AZ0)是一种典型的半导体材料，室温下禁带宽度略大于3．37eV，具有低电阻率 和可见光范围内的高透射率，广泛用于薄膜太阳能电池的透明电极[I‘3]。研究表明，对于硅基薄膜太阳能电池， 备方法主要有化学湿法刻蚀、溶脱一剥离法和反应离子刻蚀等n。7j。反应离子刻蚀采用的气体或生成的产物往 往对镀膜设备有一定的腐蚀，对设备要求较高，而湿法刻蚀和溶脱一剥离法工艺相对简单，对设备要求相对较 低，在微纳结构制备中起重要作用。2001年，EiseleC等在氢化非晶硅薄膜太阳能电池上制备了周期为390～ 980 nm、槽深为30～160 nm的一维光栅。他们的研究结果显示，电池表面反射率随着光栅周期和高度的增加 而下降，当周期为978nm、高度为160 nm时，电池表面的反射率达到了最低(约9．9％)㈧。本文采用直流磁 nm 控溅射法制备AZ()薄膜，分别考察了由湿法刻蚀和溶脱一剥离法得到的周期为980nm、高度为160AZ0 光栅的表面形貌特征及减反特性，并比较了两种工艺的特点，以期为得到具有良好光谱特性的透明电极微结构 及其制备建立基础。 l实验过程与方法 圣黧譬窑器翼3怎：是鬻时固坐魍些当i豳 基片温度为200℃，该条件下溅射速率为16nm／min。L三二一[——≯L-三=：_J[——]剑ass 采用湿法刻蚀和溶脱一剥离法制备AZO光栅基本 流程如图l所示。首先，将镀有AZ()薄膜的基片在 90℃烘箱中加热10min，以增加基片与光刻胶(PR)的 s， 附着力；用KW一4A匀胶机(以800r／min低速旋涂6 再以3500r／min高速旋涂40s)涂布一层约700nm的 PR，置于90℃烘箱中加热5min，使PR固化。然后，用 325 nm激光双光束干涉曝光2．O～2．5min，O．5％ FlowchartfoffabricationofAZ0 F碡l grating withwet andlift—off NaOH显影10～20s，90℃坚膜12min，得到PR掩模。 etching techn0109y