电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性.pdfVIP

第53卷第8期2004年8月 物 理 学 报 1000．．3290／2004／53(08)／2771．04 ACTAPHYSiCASINICA ⑥2004 Chin．Phys．Soc． 电子束蒸发制备Hf02高k薄膜的结构特性* 阎志军1’ 王印月1’+ 徐 闺2’ 蒋最敏2’ 1’(兰州大学物理系，兰州730000) 2’(复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433) (2003年8月15日收到；2003年12月9日收到修改稿) 使用高真空电子束蒸发在p型Si(100)衬底上制备了高kHfO：薄膜．俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配 比；X射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的，高温退火后发生部分晶化；原子力显微镜和扫描电子显微镜检 测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面，表明薄膜具有优良的热稳定性；椭偏测得在600nm处薄膜折 射率为2．09；电容．电压测试得到的薄膜介电常数为19．这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作 为栅介质的HfO：薄膜的方法． 关键词：高k薄膜，HfO：，电子束蒸发 PACC：7755，6855，8115G 束辅助沉积怛。、化学汽相沉积b。、原子层沉积¨1和电 1．引 言 子束蒸发”。．由于栅介质不仅对绝缘薄膜本身的厚 度和质量，而且对绝缘薄膜／Si衬底之间的界面也有 随着集成电路中晶体管特征尺寸的迅速减小， 严格的要求，因此在众多制备方法中，原子层沉积是 当前被广泛使用的一种方法，它可以制备大面积、均 已经成功使用数十年的SiO：(或者掺N的SiO：)不再 适合作为集成电路基本单元——场效应管的栅介 匀性很好的薄膜，并且拥有对成膜速度的良好控制． 质．当场效应管栅介质的厚度减小到几个纳米时， 但是，它也有一些缺点，例如为了获得均匀性良好的 薄膜，通常会在si衬底上保留一薄层SiO，[61，这一 SiO：薄膜的漏电流随其厚度减小而成指数增长，这 层SiO：对整个栅介质堆叠结构的等效氧化层厚度 样巨大的漏电流不仅严重影响到器件性能，甚至最 的减小无疑是个障碍．由于前驱体的使用，剩余杂质 终导致SiO：不能起到绝缘作用．另外，极薄的SiO， 的污染也是一个严重的问题，它不仅会影响器件的 对硼渗透的抵抗能力也成为影响器件稳定性的一个 稳定性，甚至影响到薄膜的结构特征．有文献报道了 重要因素．使用高而材料替代SiO：是目前最有希望 高温退火过程中杂质cl对HfO，薄膜的刻蚀作 解决此问题的途径．由于高k材料的使用，在保持 用。7|，它可以导致整个HfO：薄膜的刻穿，从而在薄 单位面积电容不变的同时栅介质可以有比较大的厚 膜中产生穿透的孔洞．另外，高温退火后的相分离也 度，从而避免出现在超薄SiO：中由隧穿导致的漏电 常见报道¨o，Hf的硅化物和硅酸盐是在高温下常出 流问题．