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电泳沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜及其电学性能研究.pdf
第23卷第4期 无机材料学报 V01．23．No．4
Journalof Materials Jul．．2008
2008年7月 Inorganic
文章编号：1000一324x(2008)04—0687—04
电泳沉积法制备Ba0．6sro．4Ti03厚膜及其电学性能研究
符云飞，樊慧庆，邓永丽，陈 晋
(西北工业大学材料学院，凝固技术国家重点实验室，西安710072)
摘要：
了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性．实验结果表明：采用水热法制备纳米BST40粒子，经250MPa高
压压制，950。C热处理后，BST40厚膜可形成完整的立方钙钛矿结构且表面致密、无裂纹．E—y特性表明，
1kHz，不同温度F厚膜的电滞回线．在0。c时，其剩余极化强度为1．06肛C／cm2．
关 键 词：BST厚膜；电泳沉积；调谐率；电滞回线
中图分类号：TB321文献标识码：A
of ThickFilm
andElectrical BST
Preparation Properties Depositedby
Method
ElectrophoreticDeposition
FU Jin
1mn-Fei，FANHui—Qing，DENGYbng-Li，CHEN
ofS01idification ofMaterialsScienceand
Laboratory
(StateKey Processing，School
Polytechnical
university，xi’an710072，China)
mmwiththicknessof was
Abstract：Bao．6Sr04Ti03(BST40)thick33卢m preparedbyelectrophoretic
methodon substratetheBST40nano as A
deposition Pt／Ti／Si02／Si using powdersprecursor．high
treatmentwasirltroducedinordertoincreasethe anddecreasethe
pressure process density sintering
film
ofthefilm．The andsurface oftheBST40thickwerecharac—
temperature composition morphology
current wastested
terized．The￡一ycurveoftheBST40thickfilmwasmeasured．The
leal(age density
thickfilmweremeasuredat The
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