电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储.pdfVIP

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2015-09-11 发布于湖北
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电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储.pdf

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』吣ailahie RareMetalMaterialsand online Engineering Volume 2012 ．一，， 41，Issue1，January Online editionoftheChinese English languagejoumal Direct and ofElectronsinNi TunnelingStorage talsEmbeddedwithinMOS Structure Ni Wu Chun’ HenanI．2， Liangcai3，SongZhitan93，Hui Shao Instituteof 200030,China；2 312000,China；3 Microsys- ’ShanghaiJiaotongUniversity,Shanghai XingUniversity,,ShaoxingShanghai tern of andInformation 200050,China Technology,ChineseAcademySciences,Shanghai nonvolatile alnactedresearchint册t． Abstract：Recently,nanocrystalmemoryOn‘M)devicesusingnan(crystals(NCs)havegreat Inthis the ofNi embeddedin structure work,we feasibilitynanocrystals investigated forNVM NCsembedded,inthe oxidewasfabricated．Ni application．Ni gate nanocrysta[awith雒average鲑毖of7啦越沁d∞砖哆 of e-beam followed thermal 1．5×1012锄～wet@synthesizedevaporation byrapid by teelmique annealing．Distinct were vcrsils conductancevfrstlS peal【s capacitancevoltage(c·Ⅵand frequency-dependentcapacitance observed