Mo(Si,Al)2系材料的制备及性能.pdf

第34卷 增刊1 稀有金属材料与工程 vol 34，s“PPLl 2005年 6月 RAREMET札MATERnLSANDENGlNEERJNG June2005 Mo(Si，A1)2系材料的制备及性能 王 刚1一，白光照1，江莞1，李红霞2，徐延庆2，杨彬2 (1．中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室，上海200050、 (2．中铡集团洛阳耐火材料研究院，}口』南洛阳471004) 摘要：采用白蔓延台成方法结台热止烧结制各了Mo—si—Aj系材料，并考察了其力学性能和抗低温氧化性能，结果表 高。这为设计综台性能较好的Mosi2材料进行了有益的探索。 关键词：■硅化钳；力学性能；低温氧化 中图法分类号：1D174 文献标识码：A 文章编号：1002—185x(2005)S1．0605—04 1前言 2实验方法 2 由于Mosi2稳定的电阻特性和在高温能生成一层 1粉体合成 致密的非晶si02保护膜而具有良好的高温抗氧化性， 其已作为高温(1200℃～1700℃)发热元件广泛的得到(99 应用【1】。但是，目前使用的二硅化钼发热体耐热性差、 MoAl2连线进行配料，放入球磨罐巾咀乙醇为介质湿 寿命短，造成这一问题的主要原因有：由于■硅化钼 混20h，干燥后在同样的条件下再共磨4h，然后在 200 材料固有的低温氧化特性导致发热元件冷端常常由于 MPa的压力下压制成为30 低温氧化而破坏：非晶的si02保护膜容易晶化而剥落 度约为50％的坯体。将压坯放入自蔓延合成装置内， 使发热元件使用寿命降低；另外，单相Mosi2材料室在室温下用钨丝引燃进行合成反应，反应气氛为0．1 温脆性大也是造成使用寿命降低的重要原因口】。近来 的研究表明：固溶一定量的Al形成Mo(Al，si)2，不但 可以在高温生成具有更好保护性的莫来石保护膜从而 进行了铜坩埚淬熄实验。并利用xRD(c谜。)对燃烧 进一步提高Mosi2的使用温度，而且可以改善Mosi2合成产物以及铜坩埚淬熄试样不同区域的物相组成进 固有的弱的抗低温氧化性口】。本工作日的是用自蔓延 行分析。 2．2材料制备 高温合成方法(sHs)直接制备Mo(Al，si)2粉体，考察 铝的添加对Mosi2材料性能的影响，以期望获得综台 合成粉体粉碎研磨后放入石磨模具中，利用日本 性能较好的发热元件材料。自蔓延合成技术是在20 Pa～4 MPa。 世纪60年代后期兴起的一项材料合成新工艺，该工艺 行烧结，气氛真空度2 Pa，压力50 比传统的工艺能耗低，因此』‘泛用于制造高熔点陶瓷 2．3测试与表征 及金属问化合物等材料口】。人们从理论和实验上对 Mosi2的自蔓延高温合成及其材料性能进行了大量的衍射仪对样品进行相组成定性分析。利用日本岛津公 J。 研究工作，但是对于Mo．A1．si系的研究却不多见【4 微结构形貌，并且利用能谱(EDs)进行元素分析。 本文探讨了A1添加对Mosi2自蔓延高温合成 机理及其产物结构的影响，在此基础上，考察了 Mo．si—Al系材料的力学性能和抗低温氧化性能。 进行。断裂韧性采用压痕法测试。低温氧化试验采用 收稿日期：2004一】0一14