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mosfet2010
第一节 MOSFET的基本特性 MOSFET的阈值电压 (2)理想MOS结构 (3)实际MOS结构 之二--漏源穿通击穿电压(VPT) L 较短, 较高时,漏衬间尚未雪崩击穿,但漏 pn 结耗尽区已扩展到与源区相连,称漏源击穿(VPT),VDS继续 ,源 pn结正偏,大量电子进入沟道,被强电场扫入漏区,形成较大的 ID。 MOSFET直流参数与温度特性 1)阈值电压VT 2)饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOSFET,VGS=0(导通),VDS足够大时的漏电流饱和值称为饱和漏极电流 IDSS。 3)通导电阻Ron MOSFET的交流小信号参数 1)跨导gm ——漏源电压VDS一定时,漏电流的微分增量与栅源电压微分增量之比。 3)电压放大系数 推导Cgs和Cds的表达式采用准静态近似法 2)寄生参数 3)频率特性 跨导截止频率 最高工作频率 第六章 绝缘栅场效应晶体管 第二节 短沟道效应 第六章 绝缘栅场效应晶体管 第六章 绝缘栅场效应晶体管 2) 窄沟道效应 MOSFET沟道宽度Z很小时,阈电压VT随Z的减小而增大。 第六章 绝缘栅场效应晶体管 漏诱生势垒降低效应 第六章 绝缘栅场效应晶体管 热电子效应 第六章 绝缘栅场效应晶体管 栅氧化层中电子积累的影响: 第三节 微电子器件的发展方向 MOSFET的发展方向 --2.短沟道效应 ---在强电场作用下,电子在两次碰撞之间会加速到比热运动速度高许多倍的速度,由于动能很大而称为热电子,从而引起“热电子效应”。 改进:(1)两次离子注入; (2)外加衬底偏压。 问题:穿通电流受VGS控制弱;VDS很大时将导致穿通击穿。 短沟道MOSFET中产生IG的原因 (1)横向电场Ey足够大时,沟道电子在纵向电场作用下注入到栅氧化层中;A (3)耗尽区内热激发产生电子-空穴对;C (2)漏区附近强电场Ey使高能电子碰撞电离产生电子-空穴对; B IG的出现表征着热电子效应的存在,且IG的大小可用来衡量热电子效应的大小。 沟道热电子效应为主。 --2.短沟道效应 沟道长度越短,热电子效应越严重。 (1)VT正漂; (2)跨导gm下降; (3)亚阈电流IDsub增大。 (1)漏pn结采用缓变结;(2)采用偏置栅结构;(3)埋沟结构。 产生沟道热电子的原因是漏区附近极高的横向电场的存在.抑制热电子效应的措施: 第六章 绝缘栅场效应晶体管 MOSFET的发展方向:沟道长度L不断缩短 *优点:对于分立器件可提高跨导和最大工作频率,对IC可以提高速度、增大集成度和降低功耗. *缺点:阈电压下降;阈电压不稳及跨导退化. 改进—恒场按比例缩小 当MOSFET沟道长度缩短时,器件的其他各种横向和纵向尺寸以及电压也按一定的比例缩小. 苏州科技学院电子与信息学院 微电子电路基础 2010.12.22 第六章 绝缘栅场效应晶体管 结构和分类 1) 结构 2) 工作原理 3) 输出特性 (1)OA段: 线性区,VGS决定沟道电阻 * 集成电路中的都是横向MOSFET,即沟道电流是水平方向流动;分立器件中有的沟道电流是垂直方向流动的,称为纵向MOSFET. 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 (2)AB段: 过渡区,沟道压降影响沟道电阻 (3)BC段: 饱和区,VDSVDsat,之后沟道有效长度随VDS增大而缩短,称为有效沟道长度调变效应. (4)CD段: 击穿区,VDS≥BVDS 非饱和区 4)MOSFET类型 * N沟道增强型、耗尽型, P沟道增强型、 耗尽型 又称开启电压,是使栅下的衬底表面开始发生强反型时的栅极电压,记为VT。 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --1.MOSFET的基础 1)MOS结构的阈电压 (1)功函数 Wm=E0 – (EF)m Wm E0 (EF)m Ws=E0 – (EF)s Ws E0 (EF)s EC EV ①金半功函数差为零; ②栅氧化层内有效电荷面密度为零; ③栅氧化层与半导体界面处不存在界面态。 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --1.MOSFET的基础 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --1.MOSFET的基础 通常有 ,类同VG0,使半导体一侧带负电荷,能带在表面向下弯曲,数量为: 定义:从表面到体内平衡处的电势差,为表面势 ,即 有效栅极电压(VG-VFB)一部分降在栅氧化层上,即 ,另一部分降在半导体上,即 .刚发生强反型时,栅极电压VG即阈电压VT: (4)实际MOS结构
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