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§2-1 低介装置瓷的基本知识 §2-2 典型低介装置瓷 §2-3 低温共烧陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-1 传统陶瓷基片的缺陷 氧化铝瓷烧结温度高,只能选择难熔金属Mo、W等作为电极,易导致下列问题: ① 需在还原气氛中烧结 ② Mo、W电阻率较高,布线电阻大,信号传输易造成失真,增大损耗,布线微细化受到限制 ③介电常数偏大(约9.6),增大信号延迟 ④热膨胀系数(7.0×10-6/℃)与硅(3.5×10-6/℃)不匹配 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-2 LTCC的优点 多层陶瓷基片必须与导体材料同时烧结,采用低温烧成多层陶瓷基板,则不仅可以与Au、Ag、Cu等低电阻率金属同时烧结,且有利于将电阻、电容、电感等无源元件同时制作在基板内部,使产品小型、轻量化—称为第五代基板。 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 LTCC技术是一种先进的混合电路封装技术 它是将四大无源器件,即变压器(T)、电容器(C)、电感器(L)、电阻器(R)集成,配置于多层布线基板中,与有源器件(如:功率MOS、晶体管、IC电路模块等)共同集成为一完整的电路系统。 有效地提高电路的封装密度及系统的可靠性 LTCC定义:将多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法,主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。从技术成熟程度、产业化程度以及应用广泛程度等角度来评价,目前,LTCC技术是无源集成的主流技术。 ??? 所谓LTCC技术,就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带,在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形,并将多个无源元件埋入其中,然后叠压在一起,在900℃下烧结,制成三维电路网络的无源集成组件,也可制成内置无源元件的三维电路基板板,在其表面可以贴装IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块。总之,利用这种技术可以成功地制造出各种高技术LTCC产品。 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 LTCC的特性: 高电阻率:ρ1012Ω·m,保证信号线间的绝缘性 低介电常数,减少信号延迟 低介电损耗,减小在交变电场中的损耗 烧结温度850~1000℃,可使用阻值低的导体材料(Pd-Ag、Au、Cu),减小布线电阻 基片的热膨胀系数接近硅的热膨胀系数,减少热应力 高的热导率,防止多层基板过热 足够高的机械强度 化学性能稳定 低介电常数陶瓷材料。为了满足高速信号 的传输,要求基片材料的介电常数小,以减少 传输延迟时间(例如,电话通讯时不希望应答 迟缓)。下图示出了不同的基片材料的介电常 数与传输延迟的关系。材料的介电系数愈小, 传输延迟愈小。实线所示是目前已生产的陶瓷, 虚线所示是正在进行研究的基片材料。 信号延迟时间t与有效介电常数k1/2成正比 以下是一些典型材料的介电常数(在1Mhz下):? 真空 1.0 ?纯PTFE 2.1 ?GY PTFE 2.2-2.3 ?GX-PTFE 2.55 ?氰酸酯/玻璃 3.2 ?氰酸酯/石英 2.8-3.4 ?聚酰亚胺-石英 3.5-3.8 ?聚酰亚胺-玻璃 4.0-4.6 ?环氧树脂-玻璃(FR4) 4.4-5.2 ?无纺芳香胺(aramid) 3.8-4.1 ?芳香胺(织布) 3.8-4.1 ?陶瓷填充聚四氟乙烯 6.0-10.2 ?Foamclad (Arlon 专利) 1.15-1.3 ?水 70.0 ? 对于高速、高频应用而言,最理想的材料是由铜箔包裹的空气介质。 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷基片 § 2-3-3 LTCC的研究现状 目前已实现多达50层、16英寸,应用频率为50MHz~5GHz的LTCC集成电路 日本富士通已研制出61层,245mm的共烧结构 美国IBM公司研制出了66层LTCC基板的多芯片组件 采用低温烧成多层陶瓷基片,有利于将电阻、 电容、电感等无源元件同时制作在基板内部,使 产品更加小型、轻量化,因此,低温烧成多层陶 瓷基板被用作第五代电子元件组装用基板而受到 极大的重视。MOTOROLA 陶瓷研究室研制成一种 低微波损耗、温度稳定性好的低温烧成(850℃) 的微晶玻璃-Al2O3复合陶瓷, 其Q值>1000(1-5GHz),材料的合成工艺简图: 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-4 LTCC材料体系 1、LTCC的实现方法(降低烧结温度) 掺杂适量的
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