2.5低介装置陶瓷.ppt

§2-1 低介装置瓷的基本知识 §2-2 典型低介装置瓷 §2-3 低温共烧陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-1 传统陶瓷基片的缺陷 氧化铝瓷烧结温度高，只能选择难熔金属Mo、W等作为电极，易导致下列问题： ① 需在还原气氛中烧结 ② Mo、W电阻率较高，布线电阻大，信号传输易造成失真，增大损耗，布线微细化受到限制 ③介电常数偏大（约9.6），增大信号延迟 ④热膨胀系数（7.0×10-6/℃）与硅（3.5×10-6/℃）不匹配 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-2 LTCC的优点 多层陶瓷基片必须与导体材料同时烧结，采用低温烧成多层陶瓷基板，则不仅可以与Au、Ag、Cu等低电阻率金属同时烧结，且有利于将电阻、电容、电感等无源元件同时制作在基板内部，使产品小型、轻量化—称为第五代基板。 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 LTCC技术是一种先进的混合电路封装技术 它是将四大无源器件，即变压器（T）、电容器（C）、电感器（L）、电阻器（R）集成，配置于多层布线基板中，与有源器件（如：功率MOS、晶体管、IC电路模块等）共同集成为一完整的电路系统。 有效地提高电路的封装密度及系统的可靠性 LTCC定义：将多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。从技术成熟程度、产业化程度以及应用广泛程度等角度来评价，目前，LTCC技术是无源集成的主流技术。 ??? 所谓LTCC技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在900℃下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。总之，利用这种技术可以成功地制造出各种高技术LTCC产品。 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 LTCC的特性： 高电阻率：ρ1012Ω·m，保证信号线间的绝缘性 低介电常数，减少信号延迟 低介电损耗，减小在交变电场中的损耗 烧结温度850~1000℃，可使用阻值低的导体材料（Pd-Ag、Au、Cu），减小布线电阻 基片的热膨胀系数接近硅的热膨胀系数，减少热应力 高的热导率，防止多层基板过热 足够高的机械强度 化学性能稳定 低介电常数陶瓷材料。为了满足高速信号 的传输，要求基片材料的介电常数小，以减少 传输延迟时间（例如，电话通讯时不希望应答 迟缓）。下图示出了不同的基片材料的介电常 数与传输延迟的关系。材料的介电系数愈小， 传输延迟愈小。实线所示是目前已生产的陶瓷， 虚线所示是正在进行研究的基片材料。 信号延迟时间t与有效介电常数k1/2成正比 以下是一些典型材料的介电常数(在1Mhz下)：? 真空 1.0 ?纯PTFE 2.1 ?GY PTFE 2.2-2.3 ?GX-PTFE 2.55 ?氰酸酯/玻璃 3.2 ?氰酸酯/石英 2.8-3.4 ?聚酰亚胺－石英 3.5-3.8 ?聚酰亚胺－玻璃 4.0-4.6 ?环氧树脂－玻璃（FR4） 4.4-5.2 ?无纺芳香胺(aramid) 3.8-4.1 ?芳香胺(织布) 3.8-4.1 ?陶瓷填充聚四氟乙烯 6.0-10.2 ?Foamclad (Arlon 专利) 1.15-1.3 ?水 70.0 ? 对于高速、高频应用而言，最理想的材料是由铜箔包裹的空气介质。 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷基片 § 2-3-3 LTCC的研究现状 目前已实现多达50层、16英寸，应用频率为50MHz～5GHz的LTCC集成电路 日本富士通已研制出61层，245mm的共烧结构 美国IBM公司研制出了66层LTCC基板的多芯片组件 采用低温烧成多层陶瓷基片，有利于将电阻、 电容、电感等无源元件同时制作在基板内部，使 产品更加小型、轻量化，因此，低温烧成多层陶 瓷基板被用作第五代电子元件组装用基板而受到 极大的重视。MOTOROLA 陶瓷研究室研制成一种 低微波损耗、温度稳定性好的低温烧成（850℃） 的微晶玻璃-Al2O3复合陶瓷， 其Q值＞1000（1-5GHz），材料的合成工艺简图： 第6章 Internet应用基础 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-4 LTCC材料体系 1、LTCC的实现方法（降低烧结温度） 掺杂适量的