P型(Bi0.25Sb0.75)2Te3薄膜的制备及其热电性能的研究.pdfVIP

劲 能 材 料 2010年论文集 P型(Bio．25Sbo．75)2Te3薄膜的制备及热电性能研究。 段兴凯，江跃珍 (九江学院机械与材料工程学院绿色能源材料研究中心，江西九江332005) 摘 要： 采用瞬间蒸发技术沉积了P型(Bio．25熔点组元的蒸发温度，则几乎能对任何组分进行同时 nm Sb075)：Te3热电薄膜，沉积的薄膜厚度在50～400蒸发。这就是将整体镀料微分成许多小的个体，每一 范围之间，并在503K进行1h的真空退火处理。利用个体蒸发沉积的薄膜成分因为同时蒸发而符合化学当 X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE—量，由此沉积的整体薄膜化学成分与原材料的化学成 SEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表分基本相同。采用瞬间蒸发法能够保证蒸发沉淀的薄 面形貌以及化学计量比进行表征。XRD结果显示， 膜成分与原材料的成分一致，从而防止了分馏现象。 薄膜的主要衍射峰与Bi2Te。和Bi。Sb。的标准衍射峰另外，瞬间蒸发法的设备价格较低、制备工艺简单、时 相同，沉积薄膜和退火薄膜在(006)晶面取向明显。间短，可以沉积出非常纯净的薄膜，可制备具有特定结 采用表面粗糙度仪法测定薄膜厚度，薄膜的电导率采 构的膜层。本文采用瞬间蒸发工艺沉积了P型(Bi∽。 用四探针法在室温下进行测量，在室温下对薄膜的 Sb¨。)：Te。薄膜，考察了薄膜厚度对电导率和See- beck系数的影响规律。 Seebeck系数进行袁征。测试结果表明，薄膜为P型 传导特性。并考察了薄膜厚度对电导率及Seebeck系 2 实 验 数的影响。 2．1 关键词： lBio．25Sb。．，。)2Te3；薄膜厚度；电导率；See-样品制备 beck系数；瞬间蒸发法 中图分类号：TB34；TB43 文献标识码：A 按(Bi0．2。Sb。．，。)2Te。化合物的原子比分别进行配料， 1 引 言 将配好的粉末装入石英管并抽真空密封，将石英管放 Bi：Te。基半导体化合物是室温下性能最优越的热 入加热炉中，加热温度为1173K，加热时间为7h，加热 电制冷材料。由于其在微电子、光电子及许多高科技 的过程中保持石英管轻微晃动，然后缓慢冷却到室温， 领域的潜在应用前景[1吨]，近年来受到人们的广泛关 注。到目前为止，在块体Bi。Te。基热电材料方面已经颗粒作为瞬间蒸发法所用的原材料。基片为2．54cm 进行了深入细致地研究，室温时的热电性能优值ZT ×7．62cm的载玻片，基片的处理工艺如下：(1)浸在稀 值已提高到1．5左右，这对于大规模的应用来说仍然 较低。众所周知，低维化是提高热电材料性能的一种 液；(3)去离子水冲洗；(4)吹干。基片的温度通过基 有效途径，这主要是因为低维热电材料具有特殊的量 片支撑夹下面的微型加热器来控制，基片温度加热到 子限制效应[83。近年来，Bi：Te。基纳米薄膜的制备及 热电性能的研究倍受国内外学者的重视，许多制备方 法也相继出现，如共蒸发n’5]、金属有机物化学气相沉 采用钽片，预先加热到1273K。在蒸发过程中，整个基 积口]，脉冲激光沉积[引，电沉积[8’9]、电化学原子层外片支撑夹以15r／min的速度旋转从而确保薄膜的厚度 延[10]、分子束外延[11]、磁控溅射D2,13]、封闭空间气相传均匀，沉积速率大约3nm／s，对沉积的薄膜均进行 输技术[1引，热壁外延技术n53以及电子束蒸发[J阳等方503K、lh的真空退火处理。 法已经制备了Bi。Te。基热电薄膜。 2．2样品表征 与以上沉积方法相比较，瞬间蒸发法特别适合于 采用X射线